2008年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)研究咨詢報(bào)告
- 【報(bào)告名稱】2008年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)研究咨詢報(bào)告
- 【關(guān) 鍵 字】半導(dǎo)體材料 市場(chǎng)分析 行業(yè)分析 行業(yè)研究 行業(yè)咨詢
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半導(dǎo)體材料是整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的基礎(chǔ)，對(duì)整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起著重要的支撐作用。2006年全球半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)規(guī)模比上年增加16.9%。從不同領(lǐng)域看，份額最大是占全體37%的“半導(dǎo)體晶圓”市場(chǎng)，其次是占23%的“封裝相關(guān)”市場(chǎng)，然后是占12%的“光刻相關(guān)”市場(chǎng)，富士經(jīng)濟(jì)預(yù)計(jì)2012年的材料市場(chǎng)總體將比2006年增加28.0%，達(dá)到4.11萬(wàn)億日元。按半導(dǎo)體材料市場(chǎng)面向前工序或后工序來(lái)看，2006年的前工序材料市場(chǎng)，占半導(dǎo)體材料市場(chǎng)總體的6成以上，達(dá)到2.75萬(wàn)億日元，后工序材料市場(chǎng)達(dá)到1.1346萬(wàn)億日元。
雖然日本目前還是全球最大的IC制造國(guó)，但從發(fā)展來(lái)看，隨著輕晶圓策略的實(shí)施和IDM與Foundry更多的合作，中國(guó)大陸、臺(tái)灣和東南亞已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主要增長(zhǎng)地區(qū)。半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展自然帶動(dòng)了相關(guān)材料市場(chǎng)的增長(zhǎng)。經(jīng)歷了連續(xù)3年創(chuàng)紀(jì)錄的增長(zhǎng)后，未來(lái)兩年的發(fā)展依然看好。2007年Fab材料的增長(zhǎng)將為9%，達(dá)到240億美元，封裝材料市場(chǎng)將增長(zhǎng)13%，達(dá)到166億美元。市場(chǎng)的增長(zhǎng)對(duì)材料供應(yīng)商來(lái)說(shuō)是好消息，但面對(duì)原油等原材料價(jià)格的上漲和IC價(jià)格下降的雙重壓力，材料供應(yīng)商只能是喜憂參半。未來(lái)3大引人注目市場(chǎng)是：高介電質(zhì)材料、NF3以及各向異性導(dǎo)電薄膜。
目前，我國(guó)半導(dǎo)體支撐材料業(yè)的發(fā)展很不平衡，與國(guó)際高科技產(chǎn)品相比較還存在一些差距。因此，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)應(yīng)該"苦練內(nèi)功、夯實(shí)基礎(chǔ)"，不斷提高工藝水平，加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新力度，讓產(chǎn)品上檔次，滿足高端市場(chǎng)的需求。這樣才不會(huì)憂慮國(guó)外廠商大舉進(jìn)入帶來(lái)的激烈競(jìng)爭(zhēng)，更不用擔(dān)心國(guó)外先進(jìn)技術(shù)帶來(lái)的巨大沖擊，反而可以吸引更多的大型廠商進(jìn)入國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，形成一種良好的競(jìng)爭(zhēng)機(jī)制與環(huán)境，促進(jìn)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的健康發(fā)展以及國(guó)內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)企業(yè)的技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)升級(jí)。與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上其他環(huán)節(jié)相比，國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的支持相對(duì)較弱，業(yè)界在不斷呼吁，相關(guān)政策應(yīng)盡快延伸到材料業(yè)。
本研究咨詢報(bào)告依據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局、國(guó)家發(fā)改委、國(guó)務(wù)院發(fā)展研究中心、國(guó)家海關(guān)總署、國(guó)家信息產(chǎn)業(yè)研究院、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)、國(guó)內(nèi)外多種相關(guān)報(bào)刊雜志的基礎(chǔ)信息以及專業(yè)研究單位等公布和提供的大量資料。本報(bào)告對(duì)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r進(jìn)行了深入透徹地分析，對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體材料主要市場(chǎng)發(fā)展情況、投資機(jī)會(huì)作了詳盡分析，重點(diǎn)分析了下游半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況，報(bào)告還對(duì)國(guó)內(nèi)重點(diǎn)半導(dǎo)體材料企業(yè)進(jìn)行了分析，是半導(dǎo)體材料及相關(guān)制造企業(yè)、投資部門、研究機(jī)構(gòu)準(zhǔn)確了解目前中國(guó)市場(chǎng)發(fā)展動(dòng)態(tài)，把握半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展方向，為企業(yè)經(jīng)營(yíng)決策提供重要參考的依據(jù)。
目 錄
CONTENTS
第一部分 行業(yè)發(fā)展概述
第一章 半導(dǎo)體材料概述 1
第一節(jié) 半導(dǎo)體材料定義 1
第二節(jié) 半導(dǎo)體材料分類 2
第三節(jié) 化合物半導(dǎo)體材料介紹 3
第四節(jié) 半導(dǎo)體材料特性和參數(shù) 5
第五節(jié) 半導(dǎo)體材料制備 6
第六節(jié) 半導(dǎo)體材料技術(shù)動(dòng)向及挑戰(zhàn) 7
第二部分 國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀
第二章 世界半導(dǎo)體材料市場(chǎng)分析 15
第一節(jié) 世界總體市場(chǎng)概況 15
一、國(guó)際半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展概覽 15
二、全球半導(dǎo)體材料的進(jìn)展 17
三、全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)現(xiàn)狀調(diào)查 20
四、第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵發(fā)展概況 21
五、第三代半導(dǎo)體材料GaN發(fā)展概況 22
第二節(jié) 北美半導(dǎo)體材料發(fā)展分析 23
一、北美半導(dǎo)體設(shè)備與材料市場(chǎng) 23
二、美國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀及預(yù)測(cè) 25
三、普林斯頓大學(xué)用原子移栽手段獲得磁性半導(dǎo)體材料 26
四、美國(guó)利用氧化鋅和鈷混合物開發(fā)新半導(dǎo)體材料 26
五、美國(guó)Intermolecular發(fā)表半導(dǎo)體組合技術(shù) 27
六、美科學(xué)家科技發(fā)現(xiàn)新型碳晶體管勝過(guò)非晶硅 28
七、道康寧在半導(dǎo)體材料方面的研究進(jìn)展 31
八、SAFCHitech公布硅半導(dǎo)體基片技術(shù) 32
九、霍尼韋爾研究解決半導(dǎo)體熱管理難題 34
十、杜邦在臺(tái)灣成立半導(dǎo)體材料技術(shù)中心 35
十一、IBM和JSR合作研發(fā)新型材料推進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù) 35
第三節(jié) 亞洲半導(dǎo)體材料發(fā)展 36
一、日本半導(dǎo)體材料巨頭增加投資以提高產(chǎn)能 36
二、日本開發(fā)出有機(jī)半導(dǎo)體新材料 36
三、瑞薩科技發(fā)布硅鍺功率晶體管 37
四、韓國(guó)積極扶持半導(dǎo)體及原材料產(chǎn)業(yè) 40
五、臺(tái)灣半導(dǎo)體設(shè)備材料市場(chǎng) 41
第四節(jié) 歐洲半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展情況 43
一、英國(guó)推出應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域的PEEK材料 43
二、德國(guó)科學(xué)家利用硅材料研制發(fā)光器件 44
三、適合于CMOS的有機(jī)半導(dǎo)體材料開發(fā)情況 44
第五節(jié) 世界半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢(shì) 45
一、半導(dǎo)體材料市場(chǎng)加速轉(zhuǎn)移之勢(shì) 45
二、32nm以下IC半導(dǎo)體性能提升靠材料技術(shù)的新突破 46
第三章 中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 53
第一節(jié) 行業(yè)發(fā)展概況 53
一、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料發(fā)展情況 53
二、我國(guó)IC支撐材料瓶頸待突破 56
三、政策支持力度有待加強(qiáng) 58
四、中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備與材料市場(chǎng)概覽 59
五、發(fā)展我國(guó)半導(dǎo)體材料的建議 61
第二節(jié) 技術(shù)開發(fā)及應(yīng)用 63
一、我國(guó)半導(dǎo)體材料研究進(jìn)展 63
二、湖南高精度數(shù)控多線切割機(jī)床打破國(guó)外技術(shù)壟斷 71
三、半導(dǎo)體材料競(jìng)爭(zhēng)無(wú)線應(yīng)用領(lǐng)域 72
四、SOI技術(shù)瓶頸突破 76
五、有機(jī)半導(dǎo)體材料的設(shè)計(jì)、合成和場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究獲新進(jìn)展 79
第三節(jié) 半導(dǎo)體封裝材料行業(yè)分析 79
第四節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體材料進(jìn)出口狀況 88
一、2007年進(jìn)出口總量統(tǒng)計(jì) 88
二、2007年半導(dǎo)體材料進(jìn)口統(tǒng)計(jì) 90
三、2007年半導(dǎo)體材料出口統(tǒng)計(jì) 91
第三部分 主要半導(dǎo)體材料分析
第四章 主要半導(dǎo)體材料發(fā)展分析 93
第一節(jié) 硅晶體 93
一、國(guó)際多晶硅產(chǎn)業(yè)概況 93
二、國(guó)內(nèi)多晶硅產(chǎn)業(yè)概況 96
三、我國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的喜與憂 98
四、兩岸太陽(yáng)能企業(yè)積極布局多晶硅原料 102
五、未來(lái)多晶硅行業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)分析 103
六、太陽(yáng)能多晶硅現(xiàn)貨價(jià)失控 104
第二節(jié) 砷化鎵 105
一、2010年前砷化鎵設(shè)備的防務(wù)市場(chǎng)將持續(xù)走強(qiáng) 105
二、日AKE砷化鎵晶圓廠瞄準(zhǔn)霍耳組件市場(chǎng) 105
三、ANADIGICS昆山投建6英寸砷化鎵晶圓制造廠 106
四、中顯3T-VGF法砷化鎵單晶棒試產(chǎn)成功 106
五、中科晶電砷化鎵材料開始規(guī)�；a(chǎn) 107
六、4英寸砷化鎵化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線落戶南京 108
七、砷化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況 108
第三節(jié) GaN 114
一、半導(dǎo)體材料GaN產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀 114
二、GaN產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)投資前景 115
三、中科院研制成功氮化鎵基激光器 116
第四節(jié) 碳化硅 117
一、SiC概況 117
二、碳化硅市場(chǎng)分析 119
三、碳化硅在LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的應(yīng)用 122
四、中國(guó)SiC項(xiàng)目公司簡(jiǎn)介 125
五、日本精工技研公司確立碳化硅晶圓研磨量產(chǎn)技術(shù) 129
六、NipponSteel碳化硅晶圓生產(chǎn)技術(shù)取得突破 130
七、天富熱電第三代半導(dǎo)體材料碳化硅項(xiàng)目投產(chǎn) 131
八、中科院物理所合作建立國(guó)內(nèi)首條碳化硅晶片中試生產(chǎn)線 132
九、南京鑫啟硅業(yè)新建碳化硅生產(chǎn)線正式投產(chǎn) 132
十、國(guó)內(nèi)碳化硅晶體發(fā)展情況 133
十一、碳化硅將領(lǐng)航新型功率半導(dǎo)體器件材料 134
第五節(jié) 其他半導(dǎo)體材料 136
一、非晶半導(dǎo)體材料介紹 136
二、鍺金屬需求旺盛價(jià)格堅(jiān)挺 137
三、用磷化銦等材料制成的半導(dǎo)體光子集成芯片 139
四、可印式氧化物半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展 141
第四部分 半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
第五章 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展分析 149
第一節(jié) 國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況 149
一、國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)簡(jiǎn)況 149
二、2007年半導(dǎo)體廠商競(jìng)爭(zhēng)力分析 153
三、我國(guó)半導(dǎo)體業(yè)持續(xù)快速增長(zhǎng) 157
四、2007年半導(dǎo)體市場(chǎng)評(píng)述 160
五、光伏半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)旺銷 169
六、中國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“生態(tài)”環(huán)境 172
第二節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展形勢(shì)及預(yù)測(cè) 181
一、國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體市場(chǎng)形勢(shì)分析 181
二、2007全球半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展及2008年預(yù)測(cè) 191
三、2008年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析預(yù)測(cè) 195
四、Gartner修改2008年半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備投資預(yù)測(cè) 199
五、深圳市打造全球最大化合物半導(dǎo)體基地 200
第六章 主要半導(dǎo)體市場(chǎng)分析 203
第一節(jié) LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展 203
一、全球LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展 203
二、全球LED專利布局 211
三、LED技術(shù)發(fā)展 219
四、LED應(yīng)用市場(chǎng) 225
五、中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展與前景 238
第二節(jié) 電子元器件市場(chǎng) 251
一、全球電子元器件行業(yè)需求回暖 251
二、中國(guó)電子元件產(chǎn)量占全球四成 256
三、電子元件業(yè)升級(jí)三大利器 257
四、2007年電子元器件業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 260
五、我國(guó)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景廣闊 263
第三節(jié) 集成電路 267
一、2007上半年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)研究 267
二、中國(guó)集成電路業(yè)面臨四大瓶頸 268
三、國(guó)內(nèi)外集成電路技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及差距 269
四、集成電路技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) 273
五、2007年半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量 275
第四節(jié) 半導(dǎo)體分立器件 280
一、中國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)發(fā)展概況 280
二、半導(dǎo)體分立器件發(fā)展新思維 283
三、中國(guó)大陸半導(dǎo)體分立器件主要靠進(jìn)口 286
四、半導(dǎo)體分立器件未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì) 287
五、2007年半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量 289
第五節(jié) 其他半導(dǎo)體市場(chǎng) 296
一、半導(dǎo)體氣體與化學(xué)品產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì) 296
二、IC光罩市場(chǎng)概況分析 297
三、2007年掩膜市場(chǎng)發(fā)展情況 299
第五部分 主要廠商分析
第七章 半導(dǎo)體材料主要生產(chǎn)商 301
第一節(jié) 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司 301
一、企業(yè)概況 301
二、發(fā)展情況 303
三、財(cái)務(wù)分析 304
第二節(jié) 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司 307
一、公司概況 307
二、控股子公司概況 308
三、業(yè)務(wù)發(fā)展情況 309
四、財(cái)務(wù)分析 310
第三節(jié) 峨嵋半導(dǎo)體材料廠 312
一、企業(yè)概況 312
二、發(fā)展成就 313
第四節(jié) 四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司 318
一、公司概況 318
二、公司發(fā)展 320
第五節(jié) 洛陽(yáng)中硅高科技有限公司 320
一、企業(yè)概況 320
二、技術(shù)研發(fā) 322
第六節(jié) 寧波立立電子股份有限公司 323
一、公司概況 323
二、產(chǎn)品介紹 324
三、發(fā)展戰(zhàn)略 324
第七節(jié) 寧波康強(qiáng)電子股份有限公司 325
一、公司概況 325
二、公司發(fā)展情況 326
三、公司經(jīng)營(yíng)情況 329
第八節(jié) 南京國(guó)盛電子有限公司 332
一、公司簡(jiǎn)介 332
二、工藝技術(shù)與產(chǎn)品 333
第九節(jié) 中科鎵英半導(dǎo)體有限公司 333
第六部分 行業(yè)投資分析
第八章 半導(dǎo)體材料投資分析 337
一、國(guó)內(nèi)企業(yè)投資多晶硅形勢(shì)分析 337
二、半導(dǎo)體新材料表征所面臨的挑戰(zhàn) 339
三、低K材料在半導(dǎo)體集成電路中的應(yīng)用與展望低K材料 344
四、半導(dǎo)體玻璃應(yīng)用前景廣闊 346
五、新材料幫助封裝解決冷卻問(wèn)題 348
六、其他領(lǐng)域廠商紛紛涉足LSI新材料領(lǐng)域 350
七、化合物半導(dǎo)體前景 350
圖表目錄
圖表：元素半導(dǎo)體的性質(zhì)與結(jié)構(gòu) 3
圖表：Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體的性質(zhì) 4
圖表：Ⅱ-Ⅵ化合物半導(dǎo)體的性質(zhì) 4
圖表：部分二元化合物半導(dǎo)體的性質(zhì) 5
圖表：CZT薄膜的能隙Eg與組分的關(guān)系 5
圖表：1998年IBM公司使用自有的CMOS7S制程技術(shù)來(lái)產(chǎn)制的芯片 8
圖表：High-k材料與SiO2材料比較 10
圖表：德國(guó)西門子公司用單晶硅材料制成的太陽(yáng)能基板 11
圖表：紅光LED的照射使植物（農(nóng)作物）增長(zhǎng)圖 13
圖表：日本2004年上半年度(4～9月)化合物半導(dǎo)體材料出廠情況 17
圖表：半導(dǎo)體用材料的定義及范圍 18
圖表：2006年-2009年全球電子級(jí)硅片總消耗量預(yù)測(cè) 19
圖表：2006-2008年管芯制造材料預(yù)測(cè) 19
圖表：2005年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模 19
圖表：2005-2009年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè) 24
圖表：瑞薩科技RQG2003產(chǎn)品的功能總結(jié) 38
圖表：2000-2007年全球Fab產(chǎn)能分布的變化 45
圖表：2007年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)分布統(tǒng)計(jì)與預(yù)測(cè) 46
圖表：High-k/metalgate材料技術(shù)的演進(jìn)發(fā)展 47
圖表：Dualmetal與Dualhigh-k的比較 48
圖表：藉由電極矩改變Gate的功函數(shù) 50
圖表：在金屬閘極中添加不純物 50
圖表：2003-2009年中國(guó)大陸芯片生產(chǎn)電子材料市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè) 61
圖表：2001-2005年中國(guó)半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng) 80
圖表：2005年中國(guó)半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)結(jié)構(gòu) 80
圖表：2005年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體引線框架制造企業(yè)產(chǎn)能分布及市場(chǎng)份額 83
圖表：2005年國(guó)內(nèi)金絲生產(chǎn)企業(yè)市場(chǎng)份額 84
圖表：2007年1-10月經(jīng)摻雜用于電子工業(yè)的已切片化學(xué)元素等進(jìn)出口總量統(tǒng)計(jì) 88
圖表：2007年1-10月經(jīng)摻雜用于電子工業(yè)的已切片化學(xué)元素等進(jìn)口分省份統(tǒng)計(jì) 90
圖表：2007年1-10月經(jīng)摻雜用于電子工業(yè)的已切片化學(xué)元素等出口分省份統(tǒng)計(jì) 91
圖表：2002-2010年全球及中國(guó)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅需求量統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè) 94
圖表：2005-2010年全球太陽(yáng)能電池產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)與預(yù)測(cè) 95
圖表：2005年世界主要多晶硅生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)能及生產(chǎn)情況 96
圖表：2003-2006年國(guó)內(nèi)多晶硅生產(chǎn)產(chǎn)量趨勢(shì)圖 97
圖表：砷化鎵與硅的組件特性比較 109
圖表：砷化鎵微波三種元件結(jié)構(gòu)之特性的比較 110
圖表：砷化鎵產(chǎn)業(yè)上下游關(guān)聯(lián)圖 112
圖表：砷化鎵微波組件的商業(yè)運(yùn)用 113
圖表：不同碳化硅類型情況簡(jiǎn)介 118
圖表：碳化硅晶片生產(chǎn)及應(yīng)用前景情況 118
圖表：碳化硅晶片生產(chǎn)企業(yè)情況 119
圖表：碳化硅晶片生產(chǎn)工藝 120
圖表：LED產(chǎn)業(yè)鏈 122
圖表：可見(jiàn)光LED分類及應(yīng)用 123
圖表：不同襯底材料下的外延情況 124
圖表：不同襯底下外延的比較 124
圖表：中國(guó)碳化硅項(xiàng)目公司股權(quán)結(jié)構(gòu) 125
圖表：北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體公司碳化硅項(xiàng)目?jī)?yōu)勢(shì) 126
圖表：北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體公司碳化硅晶片項(xiàng)目成本費(fèi)用情況(以4萬(wàn)片產(chǎn)量計(jì)算) 127
圖表：2006-2011年北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體公司碳化硅晶片的產(chǎn)能和銷售預(yù)測(cè) 128
圖表：2006-2011年北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體公司兩英寸碳化硅晶片的生產(chǎn)成本和銷售價(jià)格及國(guó)際市場(chǎng)價(jià)格預(yù)測(cè) 128
圖表：2006年鍺消費(fèi)領(lǐng)域需求比例示意圖 139
圖表：非晶型氧化銦鎵鋅材料系統(tǒng)組成比例(右)與電子遷移率(左) 142
圖表：五種基本的印制方式 143
圖表：典型傳統(tǒng)印制技術(shù)應(yīng)用之基材種類與印制材料及其最小線寬 144
圖表：軟式微影技術(shù)的組件制作流程 145
圖表：高分辨率軟式微影技術(shù)壓印頭印制250nm×250nm方柱圖 146
圖表：由100μm玻璃背板及30μm聚合物雙層模塊成具有270nm圖案之壓印頭實(shí)例 146
圖表：傳統(tǒng)印制技術(shù)與軟式微影技術(shù)相對(duì)應(yīng)的比較 147
圖表：全球半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域分布 149
圖表：2005年全球半導(dǎo)體分類產(chǎn)品銷售收入 150
圖表：2006年排名前十位的半導(dǎo)體公司 150
圖表：2003-2005年半導(dǎo)體市場(chǎng)向亞太地區(qū)轉(zhuǎn)移 151
圖表：2007年全球20大半導(dǎo)體供應(yīng)商的排名 154
圖表：2007年按公司總部所在地對(duì)全球半導(dǎo)體銷售額的初步估計(jì) 155
圖表：2006-2007年9月全球半導(dǎo)體銷售收入和同比增長(zhǎng)率 161
圖表：2006年12月-2007年9月電子元器件行業(yè)銷售額數(shù)據(jù) 162
圖表：2006年9月-2007年9月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)量數(shù)據(jù) 162
圖表：2005年9月-2007年9月電子元件行業(yè)銷售收入和利潤(rùn)總額變動(dòng)情況 163
圖表：2005年9月-2007年9月電子器件行業(yè)銷售收入和利潤(rùn)總額變動(dòng)情況 163
圖表：2007-2010年電子級(jí)硅晶圓出貨量預(yù)測(cè) 164
圖表：2006年10月-2007年9月PCB行業(yè)訂單出貨比數(shù)據(jù) 165
圖表：2005年10月-2006年9月PCB行業(yè)訂單和出貨同比增長(zhǎng)數(shù)據(jù) 166
圖表：2006年10月-2007年9月剛性PCB訂單出貨比數(shù)據(jù) 166
圖表：2006年10月-2007年9月柔性PCB訂單出貨比數(shù)據(jù) 167
圖表：2007年1-9月TFT-LCD面板銷售額及增長(zhǎng)狀況 168
圖表：2007年6-10月顯示器和筆記本電腦用面板價(jià)格走勢(shì) 168
圖表：2007年6-10月液晶電視用面板價(jià)格走勢(shì) 169
圖表：2007年6-10月中小尺寸TFT-LCD面板價(jià)格走勢(shì) 169
圖表：我國(guó)集成電路生產(chǎn)線統(tǒng)計(jì) 175
圖表：2006年我國(guó)內(nèi)地IC封裝測(cè)試企業(yè)收入前十名 176
圖表：Isuppli對(duì)2007年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的四次預(yù)估 181
圖表：Gartner對(duì)2007年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)的變化軌跡 182
圖表：2006年一季度-2007年二季度中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)趨勢(shì) 183
圖表：1999-2011年中國(guó)集成電路市場(chǎng)增長(zhǎng)率趨勢(shì)及預(yù)測(cè) 184
圖表：Isuppli對(duì)2005年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的預(yù)期變動(dòng)情況 185
圖表：Isuppli對(duì)2007年一季度半導(dǎo)體超額庫(kù)存的預(yù)估與實(shí)際情況 185
圖表：2005年3月-2007年9月北美半導(dǎo)體設(shè)備BB值 186
圖表：2004年一季度-2007年三季度臺(tái)積電各季度收入、毛利變動(dòng)情況 188
圖表：臺(tái)積電2007年前三季度與全年預(yù)期增長(zhǎng)率 188
圖表：2008年四大代工廠合計(jì)資本支出及資本密集度預(yù)期 189
圖表：2008Q1半導(dǎo)體銷售收入預(yù)估 190
圖表：Isuppli對(duì)2007-2011年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)估 190
圖表：2006-2009年世界主要地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè) 194
圖表：2006-2007年國(guó)際主要PC廠商出貨量 194
圖表：2005-2011年全球半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備投資額及預(yù)測(cè) 199
圖表：全球主要LED業(yè)者概況 204
圖表：2000-2011年全球LED市場(chǎng)成長(zhǎng)及預(yù)測(cè) 204
圖表：2003-2006年全球藍(lán)光晶粒產(chǎn)能分布 205
圖表：全球高亮芯片主要應(yīng)用領(lǐng)域分布（按銷售額統(tǒng)計(jì)） 205
圖表：全球高亮芯片主要應(yīng)用領(lǐng)域分布（按銷售量統(tǒng)計(jì)） 205
圖表：全球主要LED領(lǐng)先廠商 210
圖表：2003-2006年全球主要LED大廠迎運(yùn)收入 211
圖表：LED產(chǎn)業(yè)鏈投資規(guī)模估算 211
圖表：國(guó)際半導(dǎo)體照明專利狀況對(duì)比 211
圖表：全球七大LED巨頭專利數(shù)分布 212
圖表：LED發(fā)光效率演進(jìn) 221
圖表：各種照明技術(shù)發(fā)光效率與光電轉(zhuǎn)換效率變化 221
圖表：LED基本分類與應(yīng)用市場(chǎng) 225
圖表：傳統(tǒng)亮度與高亮度LED產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng) 225
圖表：2006-2010年全球手機(jī)出貨量預(yù)測(cè) 227
圖表：各種手機(jī)用面板技術(shù)比較 227
圖表：2006-2010LED背光模組出貨趨勢(shì) 232
圖表：2003-2009年全球照明市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè) 234
圖表：2004-2006年藍(lán)光LED芯片價(jià)格變化 236
圖表：2002-2007年一季度白光LED分季度價(jià)格走勢(shì) 236
圖表：LED應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)展路線圖 238
圖表：國(guó)內(nèi)主要LED產(chǎn)業(yè)基地及其核心企業(yè) 239
圖表：2006年國(guó)內(nèi)各種材料體系芯片市場(chǎng)銷售額分布 241
圖表：2006年度國(guó)內(nèi)LED芯片需求量及國(guó)產(chǎn)率狀況 241
圖表：2003-2010年國(guó)內(nèi)GaN芯片產(chǎn)能發(fā)展預(yù)測(cè) 242
圖表：國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域分布 244
圖表：我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)中下游優(yōu)劣勢(shì)比較 247
圖表：2007年1-8月電子器件制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 260
圖表：2007年1-8月電子元件制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 262
圖表：2006年一季度-2007年二季度中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模及增長(zhǎng) 267
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量全國(guó)合計(jì) 275
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量北京市合計(jì) 276
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量天津市合計(jì) 276
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量遼寧省合計(jì) 276
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量上海市合計(jì) 277
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量江蘇省合計(jì) 277
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量浙江省合計(jì) 277
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量安徽省合計(jì) 278
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量福建省合計(jì) 278
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量山東省合計(jì) 278
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量廣東省合計(jì) 279
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量四川省合計(jì) 279
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量貴州省合計(jì) 280
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量甘肅省合計(jì) 280
圖表：2003-2007年中國(guó)大陸半導(dǎo)體分立器件國(guó)產(chǎn)產(chǎn)銷走勢(shì)及預(yù)測(cè) 287
圖表：2003-2007年中國(guó)大陸半導(dǎo)體分立器件需求與進(jìn)口走勢(shì)及預(yù)測(cè) 287
圖表：2006年中國(guó)大陸進(jìn)口半導(dǎo)體分立器件主要貨源 287
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量全國(guó)合計(jì) 289
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量北京市合計(jì) 289
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量天津市合計(jì) 289
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量河北省合計(jì) 290
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量遼寧省合計(jì) 290
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量吉林省合計(jì) 291
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量黑龍江省合計(jì) 291
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量上海市合計(jì) 291
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量江蘇省合計(jì) 292
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量浙江省合計(jì) 292
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量安徽省合計(jì) 292
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量福建省合計(jì) 293
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量江西省合計(jì) 293
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量山東省合計(jì) 293
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量河南省合計(jì) 294
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量湖北省合計(jì) 294
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量湖南省合計(jì) 294
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量廣東省合計(jì) 295
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量廣西區(qū)合計(jì) 295
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量四川省合計(jì) 295
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量貴州省合計(jì) 296
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量陜西省合計(jì) 296
圖表：半導(dǎo)體氣體與化學(xué)品技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖 297
圖表：2005年光罩企業(yè)全球市占率 298
圖表：有研硅股200mm硅拋光片規(guī)格 301
圖表：有研硅股150mm硅拋光片規(guī)格 302
圖表：2007年上半年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司主營(yíng)構(gòu)成 304
圖表：2007年前三季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司利潤(rùn)分配表 304
圖表：2007年前三季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司獲利能力表 305
圖表：2007年前三季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力表 305
圖表：2007年前三季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司償債能力表 306
圖表：2007年前三季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司資本結(jié)構(gòu)表 306
圖表：2007年前三季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司發(fā)展能力表 306
圖表：2007年前三季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司現(xiàn)金流量分析表 306
圖表：2007年上半年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司主營(yíng)構(gòu)成 310
圖表：2007年前三季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司利潤(rùn)分配表 310
圖表：2007年前三季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司獲利能力表 311
圖表：2007年前三季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力表 311
圖表：2007年前三季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司償債能力表 311
圖表：2007年前三季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司資本結(jié)構(gòu)表 312
圖表：2007年前三季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司發(fā)展能力表 312
圖表：2007年前三季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司現(xiàn)金流量分析表 312
圖表：新光硅業(yè)公司股東及持股比例 319
圖表：立立電子拋光片產(chǎn)品規(guī)格 324
圖表：立立電子外延片產(chǎn)品規(guī)格 324
圖表：康強(qiáng)電子IPO前后股權(quán)結(jié)構(gòu) 325
圖表：2003-2007年全球引線框架市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)率 329
圖表：2003-2007年中國(guó)引線框架市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)率 329
圖表：2004-2007年公司產(chǎn)品主營(yíng)業(yè)務(wù)利潤(rùn)同比增長(zhǎng)率 330
圖表：2003-2009年康強(qiáng)電子主營(yíng)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)及預(yù)測(cè) 330
圖表：2003-2009年康強(qiáng)電子毛利率及預(yù)測(cè) 331
圖表：2007年康強(qiáng)電子引線框架產(chǎn)能分布 331
圖表：2009年康強(qiáng)電子引線框架產(chǎn)能分布預(yù)估 331
圖表：中科鎵英磷化銦整片產(chǎn)品規(guī)格 334
圖表：2005-2006年我國(guó)多晶硅企業(yè)籌建、新建、擴(kuò)建情況 337
半導(dǎo)體材料是整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的基礎(chǔ)，對(duì)整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起著重要的支撐作用。2006年全球半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)規(guī)模比上年增加16.9%。從不同領(lǐng)域看，份額最大是占全體37%的“半導(dǎo)體晶圓”市場(chǎng)，其次是占23%的“封裝相關(guān)”市場(chǎng)，然后是占12%的“光刻相關(guān)”市場(chǎng)，富士經(jīng)濟(jì)預(yù)計(jì)2012年的材料市場(chǎng)總體將比2006年增加28.0%，達(dá)到4.11萬(wàn)億日元。按半導(dǎo)體材料市場(chǎng)面向前工序或后工序來(lái)看，2006年的前工序材料市場(chǎng)，占半導(dǎo)體材料市場(chǎng)總體的6成以上，達(dá)到2.75萬(wàn)億日元，后工序材料市場(chǎng)達(dá)到1.1346萬(wàn)億日元。
雖然日本目前還是全球最大的IC制造國(guó)，但從發(fā)展來(lái)看，隨著輕晶圓策略的實(shí)施和IDM與Foundry更多的合作，中國(guó)大陸、臺(tái)灣和東南亞已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主要增長(zhǎng)地區(qū)。半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展自然帶動(dòng)了相關(guān)材料市場(chǎng)的增長(zhǎng)。經(jīng)歷了連續(xù)3年創(chuàng)紀(jì)錄的增長(zhǎng)后，未來(lái)兩年的發(fā)展依然看好。2007年Fab材料的增長(zhǎng)將為9%，達(dá)到240億美元，封裝材料市場(chǎng)將增長(zhǎng)13%，達(dá)到166億美元。市場(chǎng)的增長(zhǎng)對(duì)材料供應(yīng)商來(lái)說(shuō)是好消息，但面對(duì)原油等原材料價(jià)格的上漲和IC價(jià)格下降的雙重壓力，材料供應(yīng)商只能是喜憂參半。未來(lái)3大引人注目市場(chǎng)是：高介電質(zhì)材料、NF3以及各向異性導(dǎo)電薄膜。
目前，我國(guó)半導(dǎo)體支撐材料業(yè)的發(fā)展很不平衡，與國(guó)際高科技產(chǎn)品相比較還存在一些差距。因此，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)應(yīng)該"苦練內(nèi)功、夯實(shí)基礎(chǔ)"，不斷提高工藝水平，加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新力度，讓產(chǎn)品上檔次，滿足高端市場(chǎng)的需求。這樣才不會(huì)憂慮國(guó)外廠商大舉進(jìn)入帶來(lái)的激烈競(jìng)爭(zhēng)，更不用擔(dān)心國(guó)外先進(jìn)技術(shù)帶來(lái)的巨大沖擊，反而可以吸引更多的大型廠商進(jìn)入國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，形成一種良好的競(jìng)爭(zhēng)機(jī)制與環(huán)境，促進(jìn)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的健康發(fā)展以及國(guó)內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)企業(yè)的技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)升級(jí)。與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上其他環(huán)節(jié)相比，國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的支持相對(duì)較弱，業(yè)界在不斷呼吁，相關(guān)政策應(yīng)盡快延伸到材料業(yè)。
本研究咨詢報(bào)告依據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局、國(guó)家發(fā)改委、國(guó)務(wù)院發(fā)展研究中心、國(guó)家海關(guān)總署、國(guó)家信息產(chǎn)業(yè)研究院、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)、國(guó)內(nèi)外多種相關(guān)報(bào)刊雜志的基礎(chǔ)信息以及專業(yè)研究單位等公布和提供的大量資料。本報(bào)告對(duì)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r進(jìn)行了深入透徹地分析，對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體材料主要市場(chǎng)發(fā)展情況、投資機(jī)會(huì)作了詳盡分析，重點(diǎn)分析了下游半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況，報(bào)告還對(duì)國(guó)內(nèi)重點(diǎn)半導(dǎo)體材料企業(yè)進(jìn)行了分析，是半導(dǎo)體材料及相關(guān)制造企業(yè)、投資部門、研究機(jī)構(gòu)準(zhǔn)確了解目前中國(guó)市場(chǎng)發(fā)展動(dòng)態(tài)，把握半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展方向，為企業(yè)經(jīng)營(yíng)決策提供重要參考的依據(jù)。
目 錄
CONTENTS
第一部分 行業(yè)發(fā)展概述
第一章 半導(dǎo)體材料概述 1
第一節(jié) 半導(dǎo)體材料定義 1
第二節(jié) 半導(dǎo)體材料分類 2
第三節(jié) 化合物半導(dǎo)體材料介紹 3
第四節(jié) 半導(dǎo)體材料特性和參數(shù) 5
第五節(jié) 半導(dǎo)體材料制備 6
第六節(jié) 半導(dǎo)體材料技術(shù)動(dòng)向及挑戰(zhàn) 7
第二部分 國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀
第二章 世界半導(dǎo)體材料市場(chǎng)分析 15
第一節(jié) 世界總體市場(chǎng)概況 15
一、國(guó)際半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展概覽 15
二、全球半導(dǎo)體材料的進(jìn)展 17
三、全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)現(xiàn)狀調(diào)查 20
四、第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵發(fā)展概況 21
五、第三代半導(dǎo)體材料GaN發(fā)展概況 22
第二節(jié) 北美半導(dǎo)體材料發(fā)展分析 23
一、北美半導(dǎo)體設(shè)備與材料市場(chǎng) 23
二、美國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀及預(yù)測(cè) 25
三、普林斯頓大學(xué)用原子移栽手段獲得磁性半導(dǎo)體材料 26
四、美國(guó)利用氧化鋅和鈷混合物開發(fā)新半導(dǎo)體材料 26
五、美國(guó)Intermolecular發(fā)表半導(dǎo)體組合技術(shù) 27
六、美科學(xué)家科技發(fā)現(xiàn)新型碳晶體管勝過(guò)非晶硅 28
七、道康寧在半導(dǎo)體材料方面的研究進(jìn)展 31
八、SAFCHitech公布硅半導(dǎo)體基片技術(shù) 32
九、霍尼韋爾研究解決半導(dǎo)體熱管理難題 34
十、杜邦在臺(tái)灣成立半導(dǎo)體材料技術(shù)中心 35
十一、IBM和JSR合作研發(fā)新型材料推進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù) 35
第三節(jié) 亞洲半導(dǎo)體材料發(fā)展 36
一、日本半導(dǎo)體材料巨頭增加投資以提高產(chǎn)能 36
二、日本開發(fā)出有機(jī)半導(dǎo)體新材料 36
三、瑞薩科技發(fā)布硅鍺功率晶體管 37
四、韓國(guó)積極扶持半導(dǎo)體及原材料產(chǎn)業(yè) 40
五、臺(tái)灣半導(dǎo)體設(shè)備材料市場(chǎng) 41
第四節(jié) 歐洲半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展情況 43
一、英國(guó)推出應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域的PEEK材料 43
二、德國(guó)科學(xué)家利用硅材料研制發(fā)光器件 44
三、適合于CMOS的有機(jī)半導(dǎo)體材料開發(fā)情況 44
第五節(jié) 世界半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢(shì) 45
一、半導(dǎo)體材料市場(chǎng)加速轉(zhuǎn)移之勢(shì) 45
二、32nm以下IC半導(dǎo)體性能提升靠材料技術(shù)的新突破 46
第三章 中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)分析 53
第一節(jié) 行業(yè)發(fā)展概況 53
一、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料發(fā)展情況 53
二、我國(guó)IC支撐材料瓶頸待突破 56
三、政策支持力度有待加強(qiáng) 58
四、中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備與材料市場(chǎng)概覽 59
五、發(fā)展我國(guó)半導(dǎo)體材料的建議 61
第二節(jié) 技術(shù)開發(fā)及應(yīng)用 63
一、我國(guó)半導(dǎo)體材料研究進(jìn)展 63
二、湖南高精度數(shù)控多線切割機(jī)床打破國(guó)外技術(shù)壟斷 71
三、半導(dǎo)體材料競(jìng)爭(zhēng)無(wú)線應(yīng)用領(lǐng)域 72
四、SOI技術(shù)瓶頸突破 76
五、有機(jī)半導(dǎo)體材料的設(shè)計(jì)、合成和場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究獲新進(jìn)展 79
第三節(jié) 半導(dǎo)體封裝材料行業(yè)分析 79
第四節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體材料進(jìn)出口狀況 88
一、2007年進(jìn)出口總量統(tǒng)計(jì) 88
二、2007年半導(dǎo)體材料進(jìn)口統(tǒng)計(jì) 90
三、2007年半導(dǎo)體材料出口統(tǒng)計(jì) 91
第三部分 主要半導(dǎo)體材料分析
第四章 主要半導(dǎo)體材料發(fā)展分析 93
第一節(jié) 硅晶體 93
一、國(guó)際多晶硅產(chǎn)業(yè)概況 93
二、國(guó)內(nèi)多晶硅產(chǎn)業(yè)概況 96
三、我國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的喜與憂 98
四、兩岸太陽(yáng)能企業(yè)積極布局多晶硅原料 102
五、未來(lái)多晶硅行業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)分析 103
六、太陽(yáng)能多晶硅現(xiàn)貨價(jià)失控 104
第二節(jié) 砷化鎵 105
一、2010年前砷化鎵設(shè)備的防務(wù)市場(chǎng)將持續(xù)走強(qiáng) 105
二、日AKE砷化鎵晶圓廠瞄準(zhǔn)霍耳組件市場(chǎng) 105
三、ANADIGICS昆山投建6英寸砷化鎵晶圓制造廠 106
四、中顯3T-VGF法砷化鎵單晶棒試產(chǎn)成功 106
五、中科晶電砷化鎵材料開始規(guī)�；a(chǎn) 107
六、4英寸砷化鎵化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線落戶南京 108
七、砷化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況 108
第三節(jié) GaN 114
一、半導(dǎo)體材料GaN產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀 114
二、GaN產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)投資前景 115
三、中科院研制成功氮化鎵基激光器 116
第四節(jié) 碳化硅 117
一、SiC概況 117
二、碳化硅市場(chǎng)分析 119
三、碳化硅在LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的應(yīng)用 122
四、中國(guó)SiC項(xiàng)目公司簡(jiǎn)介 125
五、日本精工技研公司確立碳化硅晶圓研磨量產(chǎn)技術(shù) 129
六、NipponSteel碳化硅晶圓生產(chǎn)技術(shù)取得突破 130
七、天富熱電第三代半導(dǎo)體材料碳化硅項(xiàng)目投產(chǎn) 131
八、中科院物理所合作建立國(guó)內(nèi)首條碳化硅晶片中試生產(chǎn)線 132
九、南京鑫啟硅業(yè)新建碳化硅生產(chǎn)線正式投產(chǎn) 132
十、國(guó)內(nèi)碳化硅晶體發(fā)展情況 133
十一、碳化硅將領(lǐng)航新型功率半導(dǎo)體器件材料 134
第五節(jié) 其他半導(dǎo)體材料 136
一、非晶半導(dǎo)體材料介紹 136
二、鍺金屬需求旺盛價(jià)格堅(jiān)挺 137
三、用磷化銦等材料制成的半導(dǎo)體光子集成芯片 139
四、可印式氧化物半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展 141
第四部分 半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
第五章 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展分析 149
第一節(jié) 國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況 149
一、國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)簡(jiǎn)況 149
二、2007年半導(dǎo)體廠商競(jìng)爭(zhēng)力分析 153
三、我國(guó)半導(dǎo)體業(yè)持續(xù)快速增長(zhǎng) 157
四、2007年半導(dǎo)體市場(chǎng)評(píng)述 160
五、光伏半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)旺銷 169
六、中國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“生態(tài)”環(huán)境 172
第二節(jié) 中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展形勢(shì)及預(yù)測(cè) 181
一、國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體市場(chǎng)形勢(shì)分析 181
二、2007全球半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展及2008年預(yù)測(cè) 191
三、2008年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析預(yù)測(cè) 195
四、Gartner修改2008年半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備投資預(yù)測(cè) 199
五、深圳市打造全球最大化合物半導(dǎo)體基地 200
第六章 主要半導(dǎo)體市場(chǎng)分析 203
第一節(jié) LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展 203
一、全球LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展 203
二、全球LED專利布局 211
三、LED技術(shù)發(fā)展 219
四、LED應(yīng)用市場(chǎng) 225
五、中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展與前景 238
第二節(jié) 電子元器件市場(chǎng) 251
一、全球電子元器件行業(yè)需求回暖 251
二、中國(guó)電子元件產(chǎn)量占全球四成 256
三、電子元件業(yè)升級(jí)三大利器 257
四、2007年電子元器件業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 260
五、我國(guó)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景廣闊 263
第三節(jié) 集成電路 267
一、2007上半年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)研究 267
二、中國(guó)集成電路業(yè)面臨四大瓶頸 268
三、國(guó)內(nèi)外集成電路技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及差距 269
四、集成電路技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) 273
五、2007年半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量 275
第四節(jié) 半導(dǎo)體分立器件 280
一、中國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)發(fā)展概況 280
二、半導(dǎo)體分立器件發(fā)展新思維 283
三、中國(guó)大陸半導(dǎo)體分立器件主要靠進(jìn)口 286
四、半導(dǎo)體分立器件未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì) 287
五、2007年半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量 289
第五節(jié) 其他半導(dǎo)體市場(chǎng) 296
一、半導(dǎo)體氣體與化學(xué)品產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì) 296
二、IC光罩市場(chǎng)概況分析 297
三、2007年掩膜市場(chǎng)發(fā)展情況 299
第五部分 主要廠商分析
第七章 半導(dǎo)體材料主要生產(chǎn)商 301
第一節(jié) 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司 301
一、企業(yè)概況 301
二、發(fā)展情況 303
三、財(cái)務(wù)分析 304
第二節(jié) 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司 307
一、公司概況 307
二、控股子公司概況 308
三、業(yè)務(wù)發(fā)展情況 309
四、財(cái)務(wù)分析 310
第三節(jié) 峨嵋半導(dǎo)體材料廠 312
一、企業(yè)概況 312
二、發(fā)展成就 313
第四節(jié) 四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司 318
一、公司概況 318
二、公司發(fā)展 320
第五節(jié) 洛陽(yáng)中硅高科技有限公司 320
一、企業(yè)概況 320
二、技術(shù)研發(fā) 322
第六節(jié) 寧波立立電子股份有限公司 323
一、公司概況 323
二、產(chǎn)品介紹 324
三、發(fā)展戰(zhàn)略 324
第七節(jié) 寧波康強(qiáng)電子股份有限公司 325
一、公司概況 325
二、公司發(fā)展情況 326
三、公司經(jīng)營(yíng)情況 329
第八節(jié) 南京國(guó)盛電子有限公司 332
一、公司簡(jiǎn)介 332
二、工藝技術(shù)與產(chǎn)品 333
第九節(jié) 中科鎵英半導(dǎo)體有限公司 333
第六部分 行業(yè)投資分析
第八章 半導(dǎo)體材料投資分析 337
一、國(guó)內(nèi)企業(yè)投資多晶硅形勢(shì)分析 337
二、半導(dǎo)體新材料表征所面臨的挑戰(zhàn) 339
三、低K材料在半導(dǎo)體集成電路中的應(yīng)用與展望低K材料 344
四、半導(dǎo)體玻璃應(yīng)用前景廣闊 346
五、新材料幫助封裝解決冷卻問(wèn)題 348
六、其他領(lǐng)域廠商紛紛涉足LSI新材料領(lǐng)域 350
七、化合物半導(dǎo)體前景 350
圖表目錄
圖表：元素半導(dǎo)體的性質(zhì)與結(jié)構(gòu) 3
圖表：Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體的性質(zhì) 4
圖表：Ⅱ-Ⅵ化合物半導(dǎo)體的性質(zhì) 4
圖表：部分二元化合物半導(dǎo)體的性質(zhì) 5
圖表：CZT薄膜的能隙Eg與組分的關(guān)系 5
圖表：1998年IBM公司使用自有的CMOS7S制程技術(shù)來(lái)產(chǎn)制的芯片 8
圖表：High-k材料與SiO2材料比較 10
圖表：德國(guó)西門子公司用單晶硅材料制成的太陽(yáng)能基板 11
圖表：紅光LED的照射使植物（農(nóng)作物）增長(zhǎng)圖 13
圖表：日本2004年上半年度(4～9月)化合物半導(dǎo)體材料出廠情況 17
圖表：半導(dǎo)體用材料的定義及范圍 18
圖表：2006年-2009年全球電子級(jí)硅片總消耗量預(yù)測(cè) 19
圖表：2006-2008年管芯制造材料預(yù)測(cè) 19
圖表：2005年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模 19
圖表：2005-2009年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè) 24
圖表：瑞薩科技RQG2003產(chǎn)品的功能總結(jié) 38
圖表：2000-2007年全球Fab產(chǎn)能分布的變化 45
圖表：2007年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)分布統(tǒng)計(jì)與預(yù)測(cè) 46
圖表：High-k/metalgate材料技術(shù)的演進(jìn)發(fā)展 47
圖表：Dualmetal與Dualhigh-k的比較 48
圖表：藉由電極矩改變Gate的功函數(shù) 50
圖表：在金屬閘極中添加不純物 50
圖表：2003-2009年中國(guó)大陸芯片生產(chǎn)電子材料市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè) 61
圖表：2001-2005年中國(guó)半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng) 80
圖表：2005年中國(guó)半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)結(jié)構(gòu) 80
圖表：2005年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體引線框架制造企業(yè)產(chǎn)能分布及市場(chǎng)份額 83
圖表：2005年國(guó)內(nèi)金絲生產(chǎn)企業(yè)市場(chǎng)份額 84
圖表：2007年1-10月經(jīng)摻雜用于電子工業(yè)的已切片化學(xué)元素等進(jìn)出口總量統(tǒng)計(jì) 88
圖表：2007年1-10月經(jīng)摻雜用于電子工業(yè)的已切片化學(xué)元素等進(jìn)口分省份統(tǒng)計(jì) 90
圖表：2007年1-10月經(jīng)摻雜用于電子工業(yè)的已切片化學(xué)元素等出口分省份統(tǒng)計(jì) 91
圖表：2002-2010年全球及中國(guó)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅需求量統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè) 94
圖表：2005-2010年全球太陽(yáng)能電池產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)與預(yù)測(cè) 95
圖表：2005年世界主要多晶硅生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)能及生產(chǎn)情況 96
圖表：2003-2006年國(guó)內(nèi)多晶硅生產(chǎn)產(chǎn)量趨勢(shì)圖 97
圖表：砷化鎵與硅的組件特性比較 109
圖表：砷化鎵微波三種元件結(jié)構(gòu)之特性的比較 110
圖表：砷化鎵產(chǎn)業(yè)上下游關(guān)聯(lián)圖 112
圖表：砷化鎵微波組件的商業(yè)運(yùn)用 113
圖表：不同碳化硅類型情況簡(jiǎn)介 118
圖表：碳化硅晶片生產(chǎn)及應(yīng)用前景情況 118
圖表：碳化硅晶片生產(chǎn)企業(yè)情況 119
圖表：碳化硅晶片生產(chǎn)工藝 120
圖表：LED產(chǎn)業(yè)鏈 122
圖表：可見(jiàn)光LED分類及應(yīng)用 123
圖表：不同襯底材料下的外延情況 124
圖表：不同襯底下外延的比較 124
圖表：中國(guó)碳化硅項(xiàng)目公司股權(quán)結(jié)構(gòu) 125
圖表：北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體公司碳化硅項(xiàng)目?jī)?yōu)勢(shì) 126
圖表：北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體公司碳化硅晶片項(xiàng)目成本費(fèi)用情況(以4萬(wàn)片產(chǎn)量計(jì)算) 127
圖表：2006-2011年北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體公司碳化硅晶片的產(chǎn)能和銷售預(yù)測(cè) 128
圖表：2006-2011年北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體公司兩英寸碳化硅晶片的生產(chǎn)成本和銷售價(jià)格及國(guó)際市場(chǎng)價(jià)格預(yù)測(cè) 128
圖表：2006年鍺消費(fèi)領(lǐng)域需求比例示意圖 139
圖表：非晶型氧化銦鎵鋅材料系統(tǒng)組成比例(右)與電子遷移率(左) 142
圖表：五種基本的印制方式 143
圖表：典型傳統(tǒng)印制技術(shù)應(yīng)用之基材種類與印制材料及其最小線寬 144
圖表：軟式微影技術(shù)的組件制作流程 145
圖表：高分辨率軟式微影技術(shù)壓印頭印制250nm×250nm方柱圖 146
圖表：由100μm玻璃背板及30μm聚合物雙層模塊成具有270nm圖案之壓印頭實(shí)例 146
圖表：傳統(tǒng)印制技術(shù)與軟式微影技術(shù)相對(duì)應(yīng)的比較 147
圖表：全球半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域分布 149
圖表：2005年全球半導(dǎo)體分類產(chǎn)品銷售收入 150
圖表：2006年排名前十位的半導(dǎo)體公司 150
圖表：2003-2005年半導(dǎo)體市場(chǎng)向亞太地區(qū)轉(zhuǎn)移 151
圖表：2007年全球20大半導(dǎo)體供應(yīng)商的排名 154
圖表：2007年按公司總部所在地對(duì)全球半導(dǎo)體銷售額的初步估計(jì) 155
圖表：2006-2007年9月全球半導(dǎo)體銷售收入和同比增長(zhǎng)率 161
圖表：2006年12月-2007年9月電子元器件行業(yè)銷售額數(shù)據(jù) 162
圖表：2006年9月-2007年9月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)量數(shù)據(jù) 162
圖表：2005年9月-2007年9月電子元件行業(yè)銷售收入和利潤(rùn)總額變動(dòng)情況 163
圖表：2005年9月-2007年9月電子器件行業(yè)銷售收入和利潤(rùn)總額變動(dòng)情況 163
圖表：2007-2010年電子級(jí)硅晶圓出貨量預(yù)測(cè) 164
圖表：2006年10月-2007年9月PCB行業(yè)訂單出貨比數(shù)據(jù) 165
圖表：2005年10月-2006年9月PCB行業(yè)訂單和出貨同比增長(zhǎng)數(shù)據(jù) 166
圖表：2006年10月-2007年9月剛性PCB訂單出貨比數(shù)據(jù) 166
圖表：2006年10月-2007年9月柔性PCB訂單出貨比數(shù)據(jù) 167
圖表：2007年1-9月TFT-LCD面板銷售額及增長(zhǎng)狀況 168
圖表：2007年6-10月顯示器和筆記本電腦用面板價(jià)格走勢(shì) 168
圖表：2007年6-10月液晶電視用面板價(jià)格走勢(shì) 169
圖表：2007年6-10月中小尺寸TFT-LCD面板價(jià)格走勢(shì) 169
圖表：我國(guó)集成電路生產(chǎn)線統(tǒng)計(jì) 175
圖表：2006年我國(guó)內(nèi)地IC封裝測(cè)試企業(yè)收入前十名 176
圖表：Isuppli對(duì)2007年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的四次預(yù)估 181
圖表：Gartner對(duì)2007年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)的變化軌跡 182
圖表：2006年一季度-2007年二季度中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)趨勢(shì) 183
圖表：1999-2011年中國(guó)集成電路市場(chǎng)增長(zhǎng)率趨勢(shì)及預(yù)測(cè) 184
圖表：Isuppli對(duì)2005年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的預(yù)期變動(dòng)情況 185
圖表：Isuppli對(duì)2007年一季度半導(dǎo)體超額庫(kù)存的預(yù)估與實(shí)際情況 185
圖表：2005年3月-2007年9月北美半導(dǎo)體設(shè)備BB值 186
圖表：2004年一季度-2007年三季度臺(tái)積電各季度收入、毛利變動(dòng)情況 188
圖表：臺(tái)積電2007年前三季度與全年預(yù)期增長(zhǎng)率 188
圖表：2008年四大代工廠合計(jì)資本支出及資本密集度預(yù)期 189
圖表：2008Q1半導(dǎo)體銷售收入預(yù)估 190
圖表：Isuppli對(duì)2007-2011年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)估 190
圖表：2006-2009年世界主要地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè) 194
圖表：2006-2007年國(guó)際主要PC廠商出貨量 194
圖表：2005-2011年全球半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備投資額及預(yù)測(cè) 199
圖表：全球主要LED業(yè)者概況 204
圖表：2000-2011年全球LED市場(chǎng)成長(zhǎng)及預(yù)測(cè) 204
圖表：2003-2006年全球藍(lán)光晶粒產(chǎn)能分布 205
圖表：全球高亮芯片主要應(yīng)用領(lǐng)域分布（按銷售額統(tǒng)計(jì)） 205
圖表：全球高亮芯片主要應(yīng)用領(lǐng)域分布（按銷售量統(tǒng)計(jì)） 205
圖表：全球主要LED領(lǐng)先廠商 210
圖表：2003-2006年全球主要LED大廠迎運(yùn)收入 211
圖表：LED產(chǎn)業(yè)鏈投資規(guī)模估算 211
圖表：國(guó)際半導(dǎo)體照明專利狀況對(duì)比 211
圖表：全球七大LED巨頭專利數(shù)分布 212
圖表：LED發(fā)光效率演進(jìn) 221
圖表：各種照明技術(shù)發(fā)光效率與光電轉(zhuǎn)換效率變化 221
圖表：LED基本分類與應(yīng)用市場(chǎng) 225
圖表：傳統(tǒng)亮度與高亮度LED產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng) 225
圖表：2006-2010年全球手機(jī)出貨量預(yù)測(cè) 227
圖表：各種手機(jī)用面板技術(shù)比較 227
圖表：2006-2010LED背光模組出貨趨勢(shì) 232
圖表：2003-2009年全球照明市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè) 234
圖表：2004-2006年藍(lán)光LED芯片價(jià)格變化 236
圖表：2002-2007年一季度白光LED分季度價(jià)格走勢(shì) 236
圖表：LED應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)展路線圖 238
圖表：國(guó)內(nèi)主要LED產(chǎn)業(yè)基地及其核心企業(yè) 239
圖表：2006年國(guó)內(nèi)各種材料體系芯片市場(chǎng)銷售額分布 241
圖表：2006年度國(guó)內(nèi)LED芯片需求量及國(guó)產(chǎn)率狀況 241
圖表：2003-2010年國(guó)內(nèi)GaN芯片產(chǎn)能發(fā)展預(yù)測(cè) 242
圖表：國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域分布 244
圖表：我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)中下游優(yōu)劣勢(shì)比較 247
圖表：2007年1-8月電子器件制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 260
圖表：2007年1-8月電子元件制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 262
圖表：2006年一季度-2007年二季度中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模及增長(zhǎng) 267
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量全國(guó)合計(jì) 275
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量北京市合計(jì) 276
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量天津市合計(jì) 276
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量遼寧省合計(jì) 276
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量上海市合計(jì) 277
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量江蘇省合計(jì) 277
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量浙江省合計(jì) 277
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量安徽省合計(jì) 278
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量福建省合計(jì) 278
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量山東省合計(jì) 278
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量廣東省合計(jì) 279
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量四川省合計(jì) 279
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量貴州省合計(jì) 280
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品產(chǎn)量甘肅省合計(jì) 280
圖表：2003-2007年中國(guó)大陸半導(dǎo)體分立器件國(guó)產(chǎn)產(chǎn)銷走勢(shì)及預(yù)測(cè) 287
圖表：2003-2007年中國(guó)大陸半導(dǎo)體分立器件需求與進(jìn)口走勢(shì)及預(yù)測(cè) 287
圖表：2006年中國(guó)大陸進(jìn)口半導(dǎo)體分立器件主要貨源 287
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量全國(guó)合計(jì) 289
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量北京市合計(jì) 289
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量天津市合計(jì) 289
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量河北省合計(jì) 290
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量遼寧省合計(jì) 290
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量吉林省合計(jì) 291
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量黑龍江省合計(jì) 291
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量上海市合計(jì) 291
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量江蘇省合計(jì) 292
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量浙江省合計(jì) 292
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量安徽省合計(jì) 292
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量福建省合計(jì) 293
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量江西省合計(jì) 293
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量山東省合計(jì) 293
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量河南省合計(jì) 294
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量湖北省合計(jì) 294
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量湖南省合計(jì) 294
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量廣東省合計(jì) 295
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量廣西區(qū)合計(jì) 295
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量四川省合計(jì) 295
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量貴州省合計(jì) 296
圖表：2007年2-10月半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量陜西省合計(jì) 296
圖表：半導(dǎo)體氣體與化學(xué)品技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖 297
圖表：2005年光罩企業(yè)全球市占率 298
圖表：有研硅股200mm硅拋光片規(guī)格 301
圖表：有研硅股150mm硅拋光片規(guī)格 302
圖表：2007年上半年有研半導(dǎo)體材料股份有限公司主營(yíng)構(gòu)成 304
圖表：2007年前三季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司利潤(rùn)分配表 304
圖表：2007年前三季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司獲利能力表 305
圖表：2007年前三季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力表 305
圖表：2007年前三季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司償債能力表 306
圖表：2007年前三季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司資本結(jié)構(gòu)表 306
圖表：2007年前三季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司發(fā)展能力表 306
圖表：2007年前三季度有研半導(dǎo)體材料股份有限公司現(xiàn)金流量分析表 306
圖表：2007年上半年天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司主營(yíng)構(gòu)成 310
圖表：2007年前三季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司利潤(rùn)分配表 310
圖表：2007年前三季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司獲利能力表 311
圖表：2007年前三季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司經(jīng)營(yíng)能力表 311
圖表：2007年前三季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司償債能力表 311
圖表：2007年前三季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司資本結(jié)構(gòu)表 312
圖表：2007年前三季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司發(fā)展能力表 312
圖表：2007年前三季度天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司現(xiàn)金流量分析表 312
圖表：新光硅業(yè)公司股東及持股比例 319
圖表：立立電子拋光片產(chǎn)品規(guī)格 324
圖表：立立電子外延片產(chǎn)品規(guī)格 324
圖表：康強(qiáng)電子IPO前后股權(quán)結(jié)構(gòu) 325
圖表：2003-2007年全球引線框架市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)率 329
圖表：2003-2007年中國(guó)引線框架市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)率 329
圖表：2004-2007年公司產(chǎn)品主營(yíng)業(yè)務(wù)利潤(rùn)同比增長(zhǎng)率 330
圖表：2003-2009年康強(qiáng)電子主營(yíng)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)及預(yù)測(cè) 330
圖表：2003-2009年康強(qiáng)電子毛利率及預(yù)測(cè) 331
圖表：2007年康強(qiáng)電子引線框架產(chǎn)能分布 331
圖表：2009年康強(qiáng)電子引線框架產(chǎn)能分布預(yù)估 331
圖表：中科鎵英磷化銦整片產(chǎn)品規(guī)格 334
圖表：2005-2006年我國(guó)多晶硅企業(yè)籌建、新建、擴(kuò)建情況 337
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