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2025-2031年中國晶圓加工設(shè)備市場前景研究與未來前景預(yù)測報(bào)告
- 【報(bào)告名稱】2025-2031年中國晶圓加工設(shè)備市場前景研究與未來前景預(yù)測報(bào)告
- 【關(guān) 鍵 字】晶圓加工設(shè)備 晶圓加工設(shè)備市場分析
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晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛的有氧化爐、沉積設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、離子注入機(jī)、清洗機(jī)、化學(xué)研磨設(shè)備等。
2022年全球晶圓代工市場規(guī)模將首次突破1000億美元，2025年將增長至1251億美元。2022年以來，我國部分晶圓廠滿產(chǎn)，產(chǎn)能利用率達(dá)100%以上。
晶圓加工設(shè)備行業(yè)為技術(shù)密集型行業(yè)，生產(chǎn)技術(shù)涉及微電子、電氣、機(jī)械、材料、化學(xué)工程、流體力學(xué)、自動(dòng)化、圖像識別、通訊、軟件系統(tǒng)等多學(xué)科、多領(lǐng)域知識的綜合運(yùn)用。晶圓加工設(shè)備行業(yè)的國際巨頭企業(yè)的市場占有率很高，特別是在光刻機(jī)、檢測設(shè)備、離子注入設(shè)備等方面處于壟斷地位，且其在大部分技術(shù)領(lǐng)域已采取了知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)措施，因此晶圓加工設(shè)備行業(yè)的技術(shù)壁壘非常高。中國大陸少數(shù)企業(yè)經(jīng)過了十年以上的技術(shù)研發(fā)和工藝積累，在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了技術(shù)突破和創(chuàng)新，在避免知識產(chǎn)權(quán)糾紛的前提下，成功推出了差異化的產(chǎn)品，得到國內(nèi)外客戶的認(rèn)可，產(chǎn)品走向了國際市場。
產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《2025-2031年中國晶圓加工設(shè)備市場前景研究與未來前景預(yù)測報(bào)告》共十四章。首先介紹了晶圓加工設(shè)備行業(yè)的發(fā)展環(huán)境，接著分析了國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備以及晶圓加工設(shè)備行業(yè)的發(fā)展情況，然后分析了主要晶圓加工設(shè)備的行業(yè)運(yùn)行情況，包括光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備、清洗設(shè)備離子注入設(shè)備以及其他設(shè)備，并分析了我國晶圓加工設(shè)備下游晶圓制造行業(yè)的發(fā)展情況。隨后，報(bào)告對國內(nèi)外晶圓加工設(shè)備行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)及項(xiàng)目投資案例做了介紹分析，最后重點(diǎn)分析了行業(yè)的發(fā)展趨勢。
本研究報(bào)告數(shù)據(jù)主要來自于國家統(tǒng)計(jì)局、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、海關(guān)總署、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)市場調(diào)查中心、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會以及國內(nèi)外重點(diǎn)刊物等渠道，數(shù)據(jù)權(quán)威、詳實(shí)、豐富，同時(shí)通過專業(yè)的分析預(yù)測模型，對行業(yè)核心發(fā)展指標(biāo)進(jìn)行科學(xué)地預(yù)測。您或貴單位若想對晶圓加工設(shè)備行業(yè)有個(gè)系統(tǒng)深入的了解、或者想投資晶圓加工設(shè)備行業(yè)，本報(bào)告將是您不可或缺的重要參考工具。
報(bào)告目錄：
第一章 晶圓加工設(shè)備概述
1.1 晶圓加工設(shè)備基本介紹
1.1.1 晶圓加工設(shè)備價(jià)值
1.1.2 晶圓加工設(shè)備分類
1.1.3 晶圓加工設(shè)備特點(diǎn)
1.1.4 行業(yè)的上下游情況
1.2 晶圓加工相關(guān)工藝
1.2.1 晶圓加工流程
1.2.2 熱處理工藝
1.2.3 光刻工藝
1.2.4 刻蝕工藝
1.2.5 薄膜沉積工藝
1.2.6 化學(xué)機(jī)械研磨工藝
1.2.7 清洗工藝
第二章 2021-2024年中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
2.1 中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)政策環(huán)境
2.1.1 行業(yè)政策概覽
2.1.2 行業(yè)規(guī)劃政策
2.1.3 行業(yè)稅收政策
2.2 中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展環(huán)境
2.2.1 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)基本情況
2.2.2 全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
2.2.3 全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)競爭格局
2.2.4 國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)政策分析
2.2.5 中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
2.2.6 國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展需求
2.3 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
2.3.1 全球晶圓加工設(shè)備市場規(guī)模
2.3.2 全球晶圓加工設(shè)備細(xì)分市場
2.3.3 中國晶圓加工設(shè)備市場規(guī)模
2.3.4 中國集成電路制造設(shè)備國產(chǎn)化潛力
2.4 中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)投招標(biāo)情況
2.4.1 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)招投標(biāo)情況
2.4.2 晶圓加工設(shè)備廠商中標(biāo)現(xiàn)狀
2.4.3 晶圓加工設(shè)備廠商中標(biāo)動(dòng)態(tài)
2.4.4 晶圓加工設(shè)備行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
2.5 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展挑戰(zhàn)及建議
2.5.1 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展挑戰(zhàn)
2.5.2 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展建議
第三章 2021-2024年中國光刻設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
3.1 光刻設(shè)備概述
3.1.1 光刻機(jī)基本介紹
3.1.2 光刻設(shè)備技術(shù)介紹
3.1.3 EUV光刻機(jī)制造工藝
3.1.4 主流光刻機(jī)產(chǎn)品對比
3.2 全球光刻設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況分析
3.2.1 全球光刻機(jī)行業(yè)發(fā)展歷程
3.2.2 全球光刻機(jī)行業(yè)上下游布局
3.2.3 全球光刻機(jī)行業(yè)銷量規(guī)模
3.2.4 全球光刻機(jī)行業(yè)市場規(guī)模
3.2.5 全球光刻機(jī)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析
3.2.6 全球光刻機(jī)行業(yè)競爭格局
3.3 中國光刻設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況分析
3.3.1 國內(nèi)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)政策
3.3.2 國內(nèi)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈布局
3.3.3 國內(nèi)光刻機(jī)研發(fā)動(dòng)態(tài)
3.3.4 光刻機(jī)行業(yè)面臨問題
3.3.5 國產(chǎn)光刻機(jī)發(fā)展建議
3.3.6 國產(chǎn)光刻機(jī)破局之路
3.4 2021-2024年中國光刻機(jī)進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
3.4.1 進(jìn)出口總量數(shù)據(jù)分析
3.4.2 主要貿(mào)易國進(jìn)出口情況分析
3.4.3 主要省市進(jìn)出口情況分析
第四章 2021-2024年中國薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
4.1 薄膜沉積設(shè)備概述
4.1.1 薄膜沉積設(shè)備定義
4.1.2 薄膜沉積設(shè)備分類
4.2 薄膜沉積設(shè)備市場發(fā)展情況
4.2.1 全球薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模
4.2.2 全球薄膜沉積設(shè)備競爭態(tài)勢
4.2.3 國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備招標(biāo)情況
4.2.4 國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備競爭態(tài)勢
4.2.5 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)面臨挑戰(zhàn)
4.3 化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
4.3.1 CVD技術(shù)概述
4.3.2 CVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈全景
4.3.3 CVD設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.3.4 CVD設(shè)備行業(yè)競爭格局
4.4 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景
4.4.1 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)面臨機(jī)遇
4.4.2 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)分析
4.4.3 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢
第五章 2021-2024年中國刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
5.1 刻蝕設(shè)備概述
5.1.1 半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)
5.1.2 刻蝕工藝分類
5.1.3 刻蝕先進(jìn)工藝
5.1.4 刻蝕設(shè)備原理
5.1.5 刻蝕設(shè)備分類
5.1.6 刻蝕設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈
5.2 全球刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
5.2.1 刻蝕設(shè)備市場規(guī)模
5.2.2 刻蝕設(shè)備市場結(jié)構(gòu)
5.2.3 刻蝕設(shè)備競爭格局
5.3 中國刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
5.3.1 刻蝕行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素
5.3.2 刻蝕設(shè)備國產(chǎn)化情況
5.3.3 刻蝕技術(shù)水平發(fā)展?fàn)顩r
5.3.4 刻蝕領(lǐng)域技術(shù)水平差距
5.3.5 刻蝕設(shè)備國產(chǎn)替代機(jī)遇
第六章 2021-2024年中國化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
6.1 CMP設(shè)備概述
1.1.1 CMP技術(shù)概念
6.1.1 CMP設(shè)備應(yīng)用場景
1.1.2 CMP設(shè)備基本類型
6.2 全球CMP設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
6.2.1 全球CMP設(shè)備市場分布
6.2.2 全球CMP設(shè)備競爭格局
6.2.3 全球CMP設(shè)備市場規(guī)模
6.3 中國CMP設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
6.3.1 CMP設(shè)備市場規(guī)模
6.3.2 CMP設(shè)備市場分布
6.3.3 CMP設(shè)備市場集中度
6.3.4 CMP設(shè)備行業(yè)面臨挑戰(zhàn)
6.4 CMP設(shè)備行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
6.4.1 市場競爭風(fēng)險(xiǎn)
6.4.2 技術(shù)創(chuàng)新風(fēng)險(xiǎn)
6.4.3 技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)
6.4.4 客戶集中風(fēng)險(xiǎn)
6.4.5 政策變動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)
6.5 CMP設(shè)備技術(shù)發(fā)展趨勢
6.5.1 設(shè)備拋光頭分區(qū)精細(xì)化
6.5.2 清洗單元多能量組合化
6.5.3 設(shè)備工藝控制智能化
6.5.4 預(yù)防性維護(hù)精益化
第七章 2021-2024年中國清洗設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
7.1 清洗設(shè)備行業(yè)概述
7.1.1 半導(dǎo)體清洗介紹
7.1.2 半導(dǎo)體清洗工藝
7.1.3 清洗設(shè)備的主要類型
7.1.4 清洗設(shè)備的清洗原理
7.2 全球清洗設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
7.2.1 全球清洗設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模
7.2.2 全球清洗設(shè)備行業(yè)競爭格局
7.2.3 全球清洗設(shè)備公司技術(shù)布局
7.2.4 全球清洗設(shè)備市場結(jié)構(gòu)分布
7.3 中國清洗設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
7.3.1 國內(nèi)清洗設(shè)備企業(yè)發(fā)展情況
7.3.2 國內(nèi)清洗設(shè)備行業(yè)技術(shù)發(fā)展
7.3.3 國內(nèi)清洗設(shè)備市場發(fā)展空間
7.4 國內(nèi)清洗設(shè)備廠商中標(biāo)情況
7.4.1 中標(biāo)情況概覽
7.4.2 長江存儲
7.4.3 華虹無錫
7.4.4 上海華力
第八章 2021-2024年中國離子注入設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
8.1 離子注入機(jī)概述
8.1.1 離子注入工藝
8.1.2 離子注入機(jī)組成
8.1.3 離子注入機(jī)類型
8.1.4 離子注入機(jī)工作原理
8.2 離子注入機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域分析
8.2.1 光伏應(yīng)用領(lǐng)域
8.2.2 集成電路應(yīng)用領(lǐng)域
8.2.3 面板AMOLED領(lǐng)域
8.3 全球離子注入設(shè)備發(fā)展?fàn)顩r
8.3.1 行業(yè)市場價(jià)值
8.3.2 全球市場規(guī)模
8.3.3 全球市場格局
8.3.4 行業(yè)進(jìn)入壁壘
8.4 國內(nèi)離子注入設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
8.4.1 行業(yè)相關(guān)政策
8.4.2 行業(yè)供求分析
8.4.3 行業(yè)市場規(guī)模
8.4.4 細(xì)分市場分析
8.4.5 市場競爭格局
8.4.6 行業(yè)發(fā)展趨勢
第九章 2021-2024年中國其他晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展分析
9.1 涂膠顯影設(shè)備行業(yè)
9.1.1 涂膠顯影設(shè)備介紹
9.1.2 涂膠顯影工藝流程
9.1.3 涂膠顯影設(shè)備行業(yè)規(guī)模
9.1.4 涂膠顯影設(shè)備行業(yè)格局
9.2 去膠設(shè)備行業(yè)
9.2.1 去膠設(shè)備工藝介紹
9.2.2 去膠設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模
9.2.3 去膠設(shè)備行業(yè)競爭格局
9.2.4 國內(nèi)去膠設(shè)備企業(yè)發(fā)展
9.3 熱處理設(shè)備行業(yè)
9.3.1 熱處理設(shè)備分類
9.3.2 熱處理設(shè)備技術(shù)特點(diǎn)
9.3.3 熱處理設(shè)備行業(yè)規(guī)模
9.3.4 熱處理設(shè)備競爭格局
9.3.5 熱處理設(shè)備中標(biāo)情況
第十章 2021-2024年晶圓加工設(shè)備行業(yè)下游發(fā)展分析——晶圓制造行業(yè)
10.1 晶圓制造行業(yè)概述
10.1.1 行業(yè)發(fā)展歷程
10.1.2 企業(yè)經(jīng)營模式
10.1.3 行業(yè)技術(shù)發(fā)展
10.2 全球晶圓制造業(yè)發(fā)展分析
10.2.1 全球晶圓制造業(yè)發(fā)展態(tài)勢
10.2.2 全球晶圓制造產(chǎn)能分析
10.2.3 全球晶圓代工市場規(guī)模
10.2.4 全球晶圓代工市場份額
10.2.5 全球晶圓代工企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)
10.3 全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)格局
10.3.1 專屬晶圓代工廠排名
10.3.2 晶圓代工TOP10企業(yè)
10.3.3 晶圓二線專屬代工企業(yè)
10.3.4 IDM兼晶圓代工企業(yè)
10.4 中國晶圓制造業(yè)發(fā)展分析
10.4.1 晶圓制造行業(yè)規(guī)模
10.4.2 晶圓制造行業(yè)產(chǎn)量
10.4.3 晶圓制造區(qū)域發(fā)展
10.4.4 晶圓制造并購分析
10.4.5 芯片制程升級需求
10.4.6 晶圓制造發(fā)展機(jī)遇
10.5 中國晶圓代工市場運(yùn)行分析
10.5.1 晶圓代工市場發(fā)展規(guī)模
10.5.2 國內(nèi)晶圓廠生產(chǎn)線發(fā)展
10.5.3 本土晶圓代工公司排名
10.5.4 晶圓代工市場發(fā)展預(yù)測
第十一章 2019-2022年國外晶圓加工設(shè)備主要企業(yè)經(jīng)營情況
11.1 應(yīng)用材料（AMAT）
11.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.1.2 2022年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.1.3 2023年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.1.4 2024年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.2 泛林半導(dǎo)體（Lam）
11.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.2.2 2022年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.2.3 2023年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.2.4 2024年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.3 東京電子（TEL）
11.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.3.2 2022年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.3.3 2023年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.3.4 2024年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.4 先晶半導(dǎo)體（ASMI）
11.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.4.2 2022年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.4.3 2023年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.4.4 2024年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
第十二章 2020-2024年國內(nèi)晶圓加工設(shè)備主要企業(yè)經(jīng)營情況
12.1 拓荊科技
12.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.1.2 經(jīng)營效益分析
12.1.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.1.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.1.5 核心競爭力分析
12.1.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.1.7 未來前景展望
12.2 北方華創(chuàng)
12.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.2.2 經(jīng)營效益分析
12.2.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.2.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.2.5 核心競爭力分析
12.2.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.2.7 未來前景展望
12.3 中微公司
12.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.3.2 經(jīng)營效益分析
12.3.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.3.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.3.5 核心競爭力分析
12.3.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.3.7 未來前景展望
12.4 盛美上海
12.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.4.2 企業(yè)主營產(chǎn)品
12.4.3 經(jīng)營效益分析
12.4.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.4.5 財(cái)務(wù)狀況分析
12.4.6 核心競爭力分析
12.4.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.4.8 未來前景展望
12.5 至純科技
12.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.5.2 企業(yè)主要業(yè)務(wù)
12.5.3 經(jīng)營效益分析
12.5.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.5.5 財(cái)務(wù)狀況分析
12.5.6 核心競爭力分析
12.5.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.5.8 未來前景展望
12.6 萬業(yè)企業(yè)
12.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.6.2 經(jīng)營效益分析
12.6.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.6.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.6.5 核心競爭力分析
12.6.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.6.7 未來前景展望
12.7 屹唐股份
12.7.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.7.2 經(jīng)營效益分析
12.7.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.7.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.7.5 核心競爭力分析
12.7.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.7.7 未來前景展望
12.8 華海清科
12.8.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.8.2 拋光墊產(chǎn)品發(fā)展
12.8.3 經(jīng)營效益分析
12.8.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.8.5 財(cái)務(wù)狀況分析
12.8.6 核心競爭力分析
12.8.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.8.8 未來前景展望
第十三章 中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)項(xiàng)目投資案例
13.1 拓荊科技原子層沉積（ALD）設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
13.1.1 項(xiàng)目基本情況
13.1.2 項(xiàng)目投資概算
13.1.3 項(xiàng)目進(jìn)度安排
13.1.4 項(xiàng)目效益分析
13.2 盛美上海清洗設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目
13.2.1 項(xiàng)目基本情況
13.2.2 項(xiàng)目價(jià)值分析
13.2.3 項(xiàng)目投資概算
13.2.4 項(xiàng)目效益分析
13.3 屹唐股份刻蝕設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目
13.3.1 項(xiàng)目基本情況
13.3.2 項(xiàng)目進(jìn)度安排
13.3.3 項(xiàng)目價(jià)值分析
13.3.4 項(xiàng)目效益分析
13.4 華海清科化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備項(xiàng)目投資案例
13.4.1 項(xiàng)目基本情況
13.4.2 項(xiàng)目投資價(jià)值
13.4.3 項(xiàng)目投資概算
13.4.4 項(xiàng)目效益分析
第十四章 對2025-2031年晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景及趨勢預(yù)測
14.1 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景
14.1.1 行業(yè)面臨機(jī)遇
14.1.2 國產(chǎn)替代前景
14.1.3 下游市場趨勢
14.2 對2025-2031年中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)預(yù)測分析
14.2.1 2025-2031年中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)影響因素分析
14.2.2 2025-2031年中國晶圓加工設(shè)備市場規(guī)模預(yù)測
圖表目錄
圖表 集成電路主要設(shè)備投資比例
圖表 晶圓制造主要步驟使用工藝及設(shè)備
圖表 主要晶圓加工設(shè)備介紹及其國內(nèi)外制造企業(yè)
圖表 氧化工藝的用途
圖表 光刻工藝流程圖
圖表 光刻工藝流程
圖表 等離子刻蝕原理
圖表 濕法刻蝕和干法刻蝕對比
圖表 離子注入與擴(kuò)散工藝比較
圖表 離子注入機(jī)示意圖
圖表 離子注入機(jī)細(xì)分市場格局
圖表 IC集成電路離子注入機(jī)市場格局
圖表 三種CVD工藝對比
圖表 蒸發(fā)和濺鍍PVD工藝對比
圖表 半導(dǎo)體清洗的污染物種類、來源及危害
圖表 近年與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的扶持政策
圖表 2010-2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額
圖表 2021年全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商銷售額
圖表 半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)政策
圖表 2012-2021年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額
圖表 國產(chǎn)半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)銷售額
圖表 2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額和占比
圖表 2021年全球各類晶圓制造設(shè)備市場規(guī)模
圖表 2014-2021年全球各地區(qū)集成電路制造設(shè)備市場規(guī)模
圖表 國產(chǎn)集成電路制造設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程
圖表 2022年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備招投標(biāo)數(shù)據(jù)總覽
圖表 2023年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備招投標(biāo)數(shù)據(jù)總覽
圖表 2022年北方華創(chuàng)中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年中微公司中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年盛美半導(dǎo)體中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年沈陽拓荊中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年屹唐半導(dǎo)體中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年中國電子科技集團(tuán)中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年至純科技中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2023年北方華創(chuàng)中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2023年中微公司中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2023年盛美半導(dǎo)體中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2023年至純科技中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 EUV光刻機(jī)制造工藝難點(diǎn)
圖表 EUV光刻機(jī)優(yōu)勢
圖表 EUV光刻技術(shù)演示
圖表 EUV與ArF光刻機(jī)對比分析
圖表 光刻機(jī)領(lǐng)域發(fā)展歷程
圖表 2016-2025年全球光刻機(jī)年度銷量及預(yù)測
圖表 2016-2025年全球光刻機(jī)市場規(guī)模
圖表 2021年全球光刻機(jī)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)（按銷量計(jì)）
圖表 2021年全球光刻機(jī)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)（按營銷額計(jì)）
圖表 全球光刻機(jī)行業(yè)競爭格局
圖表 國產(chǎn)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 國產(chǎn)光刻機(jī)破局要點(diǎn)
圖表 2021-2024年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)出口總額
圖表 2021-2024年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)出口結(jié)構(gòu)
圖表 2021-2024年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)貿(mào)易順差規(guī)模
圖表 2021-2023年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口區(qū)域分布
圖表 2021-2024年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口市場集中度（分國家）
圖表 2023年主要貿(mào)易國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口市場情況
圖表 2024年主要貿(mào)易國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口市場情況
圖表 2021-2023年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口區(qū)域分布
圖表 2021-2024年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口市場集中度（分國家）
圖表 2023年主要貿(mào)易國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口市場情況
圖表 2024年主要貿(mào)易國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口市場情況
圖表 2021-2024年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口市場集中度（分省市）
圖表 2023年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口情況
圖表 2024年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口情況
圖表 2021-2024年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口市場集中度（分省市）
圖表 2023年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口情況
圖表 2024年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口情況
圖表 PVD、CVD及ALD成膜效果簡示
圖表 薄膜沉積技術(shù)分類
圖表 2020-2024年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模
圖表 半導(dǎo)體設(shè)備投資占比情況
圖表 2021年薄膜沉積設(shè)備市場結(jié)構(gòu)
圖表 PVD及CVD在全球設(shè)備市場合計(jì)市占率
圖表 2021年全球ALD設(shè)備市場份額
圖表 2021年全球CVD設(shè)備市場份額
圖表 2021年P(guān)VD市場份額
圖表 國內(nèi)主要晶圓制造產(chǎn)線設(shè)備招標(biāo)統(tǒng)計(jì)
圖表 CVD技術(shù)對比
圖表 CVD分類
圖表 CVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 2017-2021年全球薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模及增速
圖表 2021年薄膜沉積設(shè)備細(xì)分市場結(jié)構(gòu)占比情況
圖表 2021年全球CVD設(shè)備市場份額
圖表 刻蝕是去除沉積層形成電路圖形的工藝
圖表 2021主流刻蝕工藝份額
圖表 刻蝕工藝按材料分類
圖表 干法刻蝕與濕法刻蝕對比分析
圖表 不同工藝的刻蝕次數(shù)
圖表 先進(jìn)制程刻蝕方法
圖表 刻蝕工藝技術(shù)簡易原理
圖表 電容性和電感性等離體刻蝕設(shè)備
圖表 刻蝕設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 2013-2025年全球刻蝕機(jī)市場規(guī)模及預(yù)測
圖表 全球不同刻蝕介質(zhì)規(guī)模占比
圖表 2021年全球刻蝕設(shè)備競爭格局
圖表 國內(nèi)主要刻蝕設(shè)備生產(chǎn)商
圖表 各廠商刻蝕設(shè)備與刻蝕工藝對比
圖表 10納米多重模板工藝原理，涉及多次刻蝕
圖表 刻蝕領(lǐng)域同行業(yè)公司技術(shù)對比
圖表 硅片制造過程CMP設(shè)備應(yīng)用場景
圖表 芯片制造過程CMP設(shè)備應(yīng)用場景
圖表 先進(jìn)封裝過程CMP設(shè)備應(yīng)用場景
圖表 不同類型的CMP設(shè)備
圖表 2022年年全球CMP設(shè)備區(qū)域市場分布
2022年全球晶圓代工市場規(guī)模將首次突破1000億美元，2025年將增長至1251億美元。2022年以來，我國部分晶圓廠滿產(chǎn)，產(chǎn)能利用率達(dá)100%以上。
晶圓加工設(shè)備行業(yè)為技術(shù)密集型行業(yè)，生產(chǎn)技術(shù)涉及微電子、電氣、機(jī)械、材料、化學(xué)工程、流體力學(xué)、自動(dòng)化、圖像識別、通訊、軟件系統(tǒng)等多學(xué)科、多領(lǐng)域知識的綜合運(yùn)用。晶圓加工設(shè)備行業(yè)的國際巨頭企業(yè)的市場占有率很高，特別是在光刻機(jī)、檢測設(shè)備、離子注入設(shè)備等方面處于壟斷地位，且其在大部分技術(shù)領(lǐng)域已采取了知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)措施，因此晶圓加工設(shè)備行業(yè)的技術(shù)壁壘非常高。中國大陸少數(shù)企業(yè)經(jīng)過了十年以上的技術(shù)研發(fā)和工藝積累，在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了技術(shù)突破和創(chuàng)新，在避免知識產(chǎn)權(quán)糾紛的前提下，成功推出了差異化的產(chǎn)品，得到國內(nèi)外客戶的認(rèn)可，產(chǎn)品走向了國際市場。
產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《2025-2031年中國晶圓加工設(shè)備市場前景研究與未來前景預(yù)測報(bào)告》共十四章。首先介紹了晶圓加工設(shè)備行業(yè)的發(fā)展環(huán)境，接著分析了國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備以及晶圓加工設(shè)備行業(yè)的發(fā)展情況，然后分析了主要晶圓加工設(shè)備的行業(yè)運(yùn)行情況，包括光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備、清洗設(shè)備離子注入設(shè)備以及其他設(shè)備，并分析了我國晶圓加工設(shè)備下游晶圓制造行業(yè)的發(fā)展情況。隨后，報(bào)告對國內(nèi)外晶圓加工設(shè)備行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)及項(xiàng)目投資案例做了介紹分析，最后重點(diǎn)分析了行業(yè)的發(fā)展趨勢。
本研究報(bào)告數(shù)據(jù)主要來自于國家統(tǒng)計(jì)局、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、海關(guān)總署、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)市場調(diào)查中心、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會以及國內(nèi)外重點(diǎn)刊物等渠道，數(shù)據(jù)權(quán)威、詳實(shí)、豐富，同時(shí)通過專業(yè)的分析預(yù)測模型，對行業(yè)核心發(fā)展指標(biāo)進(jìn)行科學(xué)地預(yù)測。您或貴單位若想對晶圓加工設(shè)備行業(yè)有個(gè)系統(tǒng)深入的了解、或者想投資晶圓加工設(shè)備行業(yè)，本報(bào)告將是您不可或缺的重要參考工具。
報(bào)告目錄：
第一章 晶圓加工設(shè)備概述
1.1 晶圓加工設(shè)備基本介紹
1.1.1 晶圓加工設(shè)備價(jià)值
1.1.2 晶圓加工設(shè)備分類
1.1.3 晶圓加工設(shè)備特點(diǎn)
1.1.4 行業(yè)的上下游情況
1.2 晶圓加工相關(guān)工藝
1.2.1 晶圓加工流程
1.2.2 熱處理工藝
1.2.3 光刻工藝
1.2.4 刻蝕工藝
1.2.5 薄膜沉積工藝
1.2.6 化學(xué)機(jī)械研磨工藝
1.2.7 清洗工藝
第二章 2021-2024年中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
2.1 中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)政策環(huán)境
2.1.1 行業(yè)政策概覽
2.1.2 行業(yè)規(guī)劃政策
2.1.3 行業(yè)稅收政策
2.2 中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展環(huán)境
2.2.1 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)基本情況
2.2.2 全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
2.2.3 全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)競爭格局
2.2.4 國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)政策分析
2.2.5 中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
2.2.6 國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展需求
2.3 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
2.3.1 全球晶圓加工設(shè)備市場規(guī)模
2.3.2 全球晶圓加工設(shè)備細(xì)分市場
2.3.3 中國晶圓加工設(shè)備市場規(guī)模
2.3.4 中國集成電路制造設(shè)備國產(chǎn)化潛力
2.4 中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)投招標(biāo)情況
2.4.1 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)招投標(biāo)情況
2.4.2 晶圓加工設(shè)備廠商中標(biāo)現(xiàn)狀
2.4.3 晶圓加工設(shè)備廠商中標(biāo)動(dòng)態(tài)
2.4.4 晶圓加工設(shè)備行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
2.5 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展挑戰(zhàn)及建議
2.5.1 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展挑戰(zhàn)
2.5.2 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展建議
第三章 2021-2024年中國光刻設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
3.1 光刻設(shè)備概述
3.1.1 光刻機(jī)基本介紹
3.1.2 光刻設(shè)備技術(shù)介紹
3.1.3 EUV光刻機(jī)制造工藝
3.1.4 主流光刻機(jī)產(chǎn)品對比
3.2 全球光刻設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況分析
3.2.1 全球光刻機(jī)行業(yè)發(fā)展歷程
3.2.2 全球光刻機(jī)行業(yè)上下游布局
3.2.3 全球光刻機(jī)行業(yè)銷量規(guī)模
3.2.4 全球光刻機(jī)行業(yè)市場規(guī)模
3.2.5 全球光刻機(jī)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析
3.2.6 全球光刻機(jī)行業(yè)競爭格局
3.3 中國光刻設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況分析
3.3.1 國內(nèi)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)政策
3.3.2 國內(nèi)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈布局
3.3.3 國內(nèi)光刻機(jī)研發(fā)動(dòng)態(tài)
3.3.4 光刻機(jī)行業(yè)面臨問題
3.3.5 國產(chǎn)光刻機(jī)發(fā)展建議
3.3.6 國產(chǎn)光刻機(jī)破局之路
3.4 2021-2024年中國光刻機(jī)進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
3.4.1 進(jìn)出口總量數(shù)據(jù)分析
3.4.2 主要貿(mào)易國進(jìn)出口情況分析
3.4.3 主要省市進(jìn)出口情況分析
第四章 2021-2024年中國薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
4.1 薄膜沉積設(shè)備概述
4.1.1 薄膜沉積設(shè)備定義
4.1.2 薄膜沉積設(shè)備分類
4.2 薄膜沉積設(shè)備市場發(fā)展情況
4.2.1 全球薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模
4.2.2 全球薄膜沉積設(shè)備競爭態(tài)勢
4.2.3 國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備招標(biāo)情況
4.2.4 國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備競爭態(tài)勢
4.2.5 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)面臨挑戰(zhàn)
4.3 化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
4.3.1 CVD技術(shù)概述
4.3.2 CVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈全景
4.3.3 CVD設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.3.4 CVD設(shè)備行業(yè)競爭格局
4.4 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景
4.4.1 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)面臨機(jī)遇
4.4.2 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)分析
4.4.3 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢
第五章 2021-2024年中國刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
5.1 刻蝕設(shè)備概述
5.1.1 半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)
5.1.2 刻蝕工藝分類
5.1.3 刻蝕先進(jìn)工藝
5.1.4 刻蝕設(shè)備原理
5.1.5 刻蝕設(shè)備分類
5.1.6 刻蝕設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈
5.2 全球刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
5.2.1 刻蝕設(shè)備市場規(guī)模
5.2.2 刻蝕設(shè)備市場結(jié)構(gòu)
5.2.3 刻蝕設(shè)備競爭格局
5.3 中國刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
5.3.1 刻蝕行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素
5.3.2 刻蝕設(shè)備國產(chǎn)化情況
5.3.3 刻蝕技術(shù)水平發(fā)展?fàn)顩r
5.3.4 刻蝕領(lǐng)域技術(shù)水平差距
5.3.5 刻蝕設(shè)備國產(chǎn)替代機(jī)遇
第六章 2021-2024年中國化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
6.1 CMP設(shè)備概述
1.1.1 CMP技術(shù)概念
6.1.1 CMP設(shè)備應(yīng)用場景
1.1.2 CMP設(shè)備基本類型
6.2 全球CMP設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
6.2.1 全球CMP設(shè)備市場分布
6.2.2 全球CMP設(shè)備競爭格局
6.2.3 全球CMP設(shè)備市場規(guī)模
6.3 中國CMP設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
6.3.1 CMP設(shè)備市場規(guī)模
6.3.2 CMP設(shè)備市場分布
6.3.3 CMP設(shè)備市場集中度
6.3.4 CMP設(shè)備行業(yè)面臨挑戰(zhàn)
6.4 CMP設(shè)備行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
6.4.1 市場競爭風(fēng)險(xiǎn)
6.4.2 技術(shù)創(chuàng)新風(fēng)險(xiǎn)
6.4.3 技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)
6.4.4 客戶集中風(fēng)險(xiǎn)
6.4.5 政策變動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)
6.5 CMP設(shè)備技術(shù)發(fā)展趨勢
6.5.1 設(shè)備拋光頭分區(qū)精細(xì)化
6.5.2 清洗單元多能量組合化
6.5.3 設(shè)備工藝控制智能化
6.5.4 預(yù)防性維護(hù)精益化
第七章 2021-2024年中國清洗設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
7.1 清洗設(shè)備行業(yè)概述
7.1.1 半導(dǎo)體清洗介紹
7.1.2 半導(dǎo)體清洗工藝
7.1.3 清洗設(shè)備的主要類型
7.1.4 清洗設(shè)備的清洗原理
7.2 全球清洗設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
7.2.1 全球清洗設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模
7.2.2 全球清洗設(shè)備行業(yè)競爭格局
7.2.3 全球清洗設(shè)備公司技術(shù)布局
7.2.4 全球清洗設(shè)備市場結(jié)構(gòu)分布
7.3 中國清洗設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
7.3.1 國內(nèi)清洗設(shè)備企業(yè)發(fā)展情況
7.3.2 國內(nèi)清洗設(shè)備行業(yè)技術(shù)發(fā)展
7.3.3 國內(nèi)清洗設(shè)備市場發(fā)展空間
7.4 國內(nèi)清洗設(shè)備廠商中標(biāo)情況
7.4.1 中標(biāo)情況概覽
7.4.2 長江存儲
7.4.3 華虹無錫
7.4.4 上海華力
第八章 2021-2024年中國離子注入設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
8.1 離子注入機(jī)概述
8.1.1 離子注入工藝
8.1.2 離子注入機(jī)組成
8.1.3 離子注入機(jī)類型
8.1.4 離子注入機(jī)工作原理
8.2 離子注入機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域分析
8.2.1 光伏應(yīng)用領(lǐng)域
8.2.2 集成電路應(yīng)用領(lǐng)域
8.2.3 面板AMOLED領(lǐng)域
8.3 全球離子注入設(shè)備發(fā)展?fàn)顩r
8.3.1 行業(yè)市場價(jià)值
8.3.2 全球市場規(guī)模
8.3.3 全球市場格局
8.3.4 行業(yè)進(jìn)入壁壘
8.4 國內(nèi)離子注入設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
8.4.1 行業(yè)相關(guān)政策
8.4.2 行業(yè)供求分析
8.4.3 行業(yè)市場規(guī)模
8.4.4 細(xì)分市場分析
8.4.5 市場競爭格局
8.4.6 行業(yè)發(fā)展趨勢
第九章 2021-2024年中國其他晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展分析
9.1 涂膠顯影設(shè)備行業(yè)
9.1.1 涂膠顯影設(shè)備介紹
9.1.2 涂膠顯影工藝流程
9.1.3 涂膠顯影設(shè)備行業(yè)規(guī)模
9.1.4 涂膠顯影設(shè)備行業(yè)格局
9.2 去膠設(shè)備行業(yè)
9.2.1 去膠設(shè)備工藝介紹
9.2.2 去膠設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模
9.2.3 去膠設(shè)備行業(yè)競爭格局
9.2.4 國內(nèi)去膠設(shè)備企業(yè)發(fā)展
9.3 熱處理設(shè)備行業(yè)
9.3.1 熱處理設(shè)備分類
9.3.2 熱處理設(shè)備技術(shù)特點(diǎn)
9.3.3 熱處理設(shè)備行業(yè)規(guī)模
9.3.4 熱處理設(shè)備競爭格局
9.3.5 熱處理設(shè)備中標(biāo)情況
第十章 2021-2024年晶圓加工設(shè)備行業(yè)下游發(fā)展分析——晶圓制造行業(yè)
10.1 晶圓制造行業(yè)概述
10.1.1 行業(yè)發(fā)展歷程
10.1.2 企業(yè)經(jīng)營模式
10.1.3 行業(yè)技術(shù)發(fā)展
10.2 全球晶圓制造業(yè)發(fā)展分析
10.2.1 全球晶圓制造業(yè)發(fā)展態(tài)勢
10.2.2 全球晶圓制造產(chǎn)能分析
10.2.3 全球晶圓代工市場規(guī)模
10.2.4 全球晶圓代工市場份額
10.2.5 全球晶圓代工企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)
10.3 全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)格局
10.3.1 專屬晶圓代工廠排名
10.3.2 晶圓代工TOP10企業(yè)
10.3.3 晶圓二線專屬代工企業(yè)
10.3.4 IDM兼晶圓代工企業(yè)
10.4 中國晶圓制造業(yè)發(fā)展分析
10.4.1 晶圓制造行業(yè)規(guī)模
10.4.2 晶圓制造行業(yè)產(chǎn)量
10.4.3 晶圓制造區(qū)域發(fā)展
10.4.4 晶圓制造并購分析
10.4.5 芯片制程升級需求
10.4.6 晶圓制造發(fā)展機(jī)遇
10.5 中國晶圓代工市場運(yùn)行分析
10.5.1 晶圓代工市場發(fā)展規(guī)模
10.5.2 國內(nèi)晶圓廠生產(chǎn)線發(fā)展
10.5.3 本土晶圓代工公司排名
10.5.4 晶圓代工市場發(fā)展預(yù)測
第十一章 2019-2022年國外晶圓加工設(shè)備主要企業(yè)經(jīng)營情況
11.1 應(yīng)用材料（AMAT）
11.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.1.2 2022年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.1.3 2023年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.1.4 2024年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.2 泛林半導(dǎo)體（Lam）
11.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.2.2 2022年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.2.3 2023年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.2.4 2024年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.3 東京電子（TEL）
11.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.3.2 2022年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.3.3 2023年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.3.4 2024年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.4 先晶半導(dǎo)體（ASMI）
11.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.4.2 2022年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.4.3 2023年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
11.4.4 2024年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
第十二章 2020-2024年國內(nèi)晶圓加工設(shè)備主要企業(yè)經(jīng)營情況
12.1 拓荊科技
12.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.1.2 經(jīng)營效益分析
12.1.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.1.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.1.5 核心競爭力分析
12.1.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.1.7 未來前景展望
12.2 北方華創(chuàng)
12.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.2.2 經(jīng)營效益分析
12.2.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.2.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.2.5 核心競爭力分析
12.2.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.2.7 未來前景展望
12.3 中微公司
12.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.3.2 經(jīng)營效益分析
12.3.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.3.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.3.5 核心競爭力分析
12.3.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.3.7 未來前景展望
12.4 盛美上海
12.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.4.2 企業(yè)主營產(chǎn)品
12.4.3 經(jīng)營效益分析
12.4.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.4.5 財(cái)務(wù)狀況分析
12.4.6 核心競爭力分析
12.4.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.4.8 未來前景展望
12.5 至純科技
12.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.5.2 企業(yè)主要業(yè)務(wù)
12.5.3 經(jīng)營效益分析
12.5.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.5.5 財(cái)務(wù)狀況分析
12.5.6 核心競爭力分析
12.5.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.5.8 未來前景展望
12.6 萬業(yè)企業(yè)
12.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.6.2 經(jīng)營效益分析
12.6.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.6.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.6.5 核心競爭力分析
12.6.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.6.7 未來前景展望
12.7 屹唐股份
12.7.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.7.2 經(jīng)營效益分析
12.7.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.7.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.7.5 核心競爭力分析
12.7.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.7.7 未來前景展望
12.8 華海清科
12.8.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.8.2 拋光墊產(chǎn)品發(fā)展
12.8.3 經(jīng)營效益分析
12.8.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.8.5 財(cái)務(wù)狀況分析
12.8.6 核心競爭力分析
12.8.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.8.8 未來前景展望
第十三章 中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)項(xiàng)目投資案例
13.1 拓荊科技原子層沉積（ALD）設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
13.1.1 項(xiàng)目基本情況
13.1.2 項(xiàng)目投資概算
13.1.3 項(xiàng)目進(jìn)度安排
13.1.4 項(xiàng)目效益分析
13.2 盛美上海清洗設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目
13.2.1 項(xiàng)目基本情況
13.2.2 項(xiàng)目價(jià)值分析
13.2.3 項(xiàng)目投資概算
13.2.4 項(xiàng)目效益分析
13.3 屹唐股份刻蝕設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目
13.3.1 項(xiàng)目基本情況
13.3.2 項(xiàng)目進(jìn)度安排
13.3.3 項(xiàng)目價(jià)值分析
13.3.4 項(xiàng)目效益分析
13.4 華海清科化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備項(xiàng)目投資案例
13.4.1 項(xiàng)目基本情況
13.4.2 項(xiàng)目投資價(jià)值
13.4.3 項(xiàng)目投資概算
13.4.4 項(xiàng)目效益分析
第十四章 對2025-2031年晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景及趨勢預(yù)測
14.1 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景
14.1.1 行業(yè)面臨機(jī)遇
14.1.2 國產(chǎn)替代前景
14.1.3 下游市場趨勢
14.2 對2025-2031年中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)預(yù)測分析
14.2.1 2025-2031年中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)影響因素分析
14.2.2 2025-2031年中國晶圓加工設(shè)備市場規(guī)模預(yù)測
圖表目錄
圖表 集成電路主要設(shè)備投資比例
圖表 晶圓制造主要步驟使用工藝及設(shè)備
圖表 主要晶圓加工設(shè)備介紹及其國內(nèi)外制造企業(yè)
圖表 氧化工藝的用途
圖表 光刻工藝流程圖
圖表 光刻工藝流程
圖表 等離子刻蝕原理
圖表 濕法刻蝕和干法刻蝕對比
圖表 離子注入與擴(kuò)散工藝比較
圖表 離子注入機(jī)示意圖
圖表 離子注入機(jī)細(xì)分市場格局
圖表 IC集成電路離子注入機(jī)市場格局
圖表 三種CVD工藝對比
圖表 蒸發(fā)和濺鍍PVD工藝對比
圖表 半導(dǎo)體清洗的污染物種類、來源及危害
圖表 近年與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的扶持政策
圖表 2010-2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額
圖表 2021年全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商銷售額
圖表 半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)政策
圖表 2012-2021年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額
圖表 國產(chǎn)半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)銷售額
圖表 2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額和占比
圖表 2021年全球各類晶圓制造設(shè)備市場規(guī)模
圖表 2014-2021年全球各地區(qū)集成電路制造設(shè)備市場規(guī)模
圖表 國產(chǎn)集成電路制造設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程
圖表 2022年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備招投標(biāo)數(shù)據(jù)總覽
圖表 2023年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備招投標(biāo)數(shù)據(jù)總覽
圖表 2022年北方華創(chuàng)中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年中微公司中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年盛美半導(dǎo)體中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年沈陽拓荊中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年屹唐半導(dǎo)體中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年中國電子科技集團(tuán)中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年至純科技中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2023年北方華創(chuàng)中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2023年中微公司中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2023年盛美半導(dǎo)體中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2023年至純科技中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 EUV光刻機(jī)制造工藝難點(diǎn)
圖表 EUV光刻機(jī)優(yōu)勢
圖表 EUV光刻技術(shù)演示
圖表 EUV與ArF光刻機(jī)對比分析
圖表 光刻機(jī)領(lǐng)域發(fā)展歷程
圖表 2016-2025年全球光刻機(jī)年度銷量及預(yù)測
圖表 2016-2025年全球光刻機(jī)市場規(guī)模
圖表 2021年全球光刻機(jī)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)（按銷量計(jì)）
圖表 2021年全球光刻機(jī)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)（按營銷額計(jì)）
圖表 全球光刻機(jī)行業(yè)競爭格局
圖表 國產(chǎn)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 國產(chǎn)光刻機(jī)破局要點(diǎn)
圖表 2021-2024年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)出口總額
圖表 2021-2024年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)出口結(jié)構(gòu)
圖表 2021-2024年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)貿(mào)易順差規(guī)模
圖表 2021-2023年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口區(qū)域分布
圖表 2021-2024年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口市場集中度（分國家）
圖表 2023年主要貿(mào)易國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口市場情況
圖表 2024年主要貿(mào)易國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口市場情況
圖表 2021-2023年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口區(qū)域分布
圖表 2021-2024年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口市場集中度（分國家）
圖表 2023年主要貿(mào)易國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口市場情況
圖表 2024年主要貿(mào)易國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口市場情況
圖表 2021-2024年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口市場集中度（分省市）
圖表 2023年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口情況
圖表 2024年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口情況
圖表 2021-2024年中國制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口市場集中度（分省市）
圖表 2023年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口情況
圖表 2024年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口情況
圖表 PVD、CVD及ALD成膜效果簡示
圖表 薄膜沉積技術(shù)分類
圖表 2020-2024年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模
圖表 半導(dǎo)體設(shè)備投資占比情況
圖表 2021年薄膜沉積設(shè)備市場結(jié)構(gòu)
圖表 PVD及CVD在全球設(shè)備市場合計(jì)市占率
圖表 2021年全球ALD設(shè)備市場份額
圖表 2021年全球CVD設(shè)備市場份額
圖表 2021年P(guān)VD市場份額
圖表 國內(nèi)主要晶圓制造產(chǎn)線設(shè)備招標(biāo)統(tǒng)計(jì)
圖表 CVD技術(shù)對比
圖表 CVD分類
圖表 CVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 2017-2021年全球薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模及增速
圖表 2021年薄膜沉積設(shè)備細(xì)分市場結(jié)構(gòu)占比情況
圖表 2021年全球CVD設(shè)備市場份額
圖表 刻蝕是去除沉積層形成電路圖形的工藝
圖表 2021主流刻蝕工藝份額
圖表 刻蝕工藝按材料分類
圖表 干法刻蝕與濕法刻蝕對比分析
圖表 不同工藝的刻蝕次數(shù)
圖表 先進(jìn)制程刻蝕方法
圖表 刻蝕工藝技術(shù)簡易原理
圖表 電容性和電感性等離體刻蝕設(shè)備
圖表 刻蝕設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 2013-2025年全球刻蝕機(jī)市場規(guī)模及預(yù)測
圖表 全球不同刻蝕介質(zhì)規(guī)模占比
圖表 2021年全球刻蝕設(shè)備競爭格局
圖表 國內(nèi)主要刻蝕設(shè)備生產(chǎn)商
圖表 各廠商刻蝕設(shè)備與刻蝕工藝對比
圖表 10納米多重模板工藝原理，涉及多次刻蝕
圖表 刻蝕領(lǐng)域同行業(yè)公司技術(shù)對比
圖表 硅片制造過程CMP設(shè)備應(yīng)用場景
圖表 芯片制造過程CMP設(shè)備應(yīng)用場景
圖表 先進(jìn)封裝過程CMP設(shè)備應(yīng)用場景
圖表 不同類型的CMP設(shè)備
圖表 2022年年全球CMP設(shè)備區(qū)域市場分布
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