全球LED產(chǎn)業(yè)專利發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)

中國產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告網(wǎng)訊：

    LED領(lǐng)域全球?qū)＠�申�?qǐng)共計(jì)約十二萬余件，其中在日本的專利申請(qǐng)量最多，其次為美國和中國，各主要國家和地區(qū)LED領(lǐng)域的專利申請(qǐng)都已突破一萬件。

    根據(jù)LED的技術(shù)特點(diǎn)和行業(yè)劃分習(xí)慣，一般將LED領(lǐng)域分成襯底、外延、芯片、封裝、應(yīng)用等部分。

    LED全球?qū)＠�技術(shù)結(jié)構(gòu)布局情況如圖所示，專利申請(qǐng)40%集中在封裝，其次為應(yīng)用(26%)和外延(17%)領(lǐng)域，襯底和白光的專利最少。襯底領(lǐng)域的專利25%集中在藍(lán)寶石，其次為砷化鎵(17%)，硅(16%)，氮化鎵(10%)等;外延領(lǐng)域的專利。

    從有源層材料看，86%集中在III-V族，從功能層來看75%集中在n型層，p型層和有源層，其次為覆蓋層和緩沖層(16%)，在電流擴(kuò)展層和歐盟接觸層等技術(shù)分支申請(qǐng)較少；芯片領(lǐng)域的專利39%集中在電極設(shè)計(jì)技術(shù)，其次為反射膜技術(shù)(16%)、微結(jié)構(gòu)技術(shù)(12%)、芯片外形技術(shù)(11%)、襯底鍵合剝離技術(shù)(11%)，在劃片、增透膜技術(shù)、鈍化技術(shù)等申請(qǐng)較少；封裝領(lǐng)域的專利63%集中在基板和封裝體，其次為散熱(15%)、電極互連(13%)和熒光體(7%)。專利申請(qǐng)多集中在封裝和應(yīng)用領(lǐng)域，這表明LED技術(shù)相對(duì)比較成熟，開始進(jìn)入應(yīng)用階段。
 

截至2010年4月，全球共申請(qǐng)LED相關(guān)專利305100余篇，按照公開發(fā)表日期統(tǒng)計(jì)如下表所示：

    下列各圖顯示了全球各國LED照明專利的發(fā)展情況：1998年以前，全球的半導(dǎo)體發(fā)光技術(shù)由于瓶頸受限一直處于較為緩慢的前期研發(fā)階段，該時(shí)段對(duì)應(yīng)專利的技術(shù)萌芽階段；從1998年至2006年，半導(dǎo)體照明開始進(jìn)入一個(gè)迅速增長通道，對(duì)應(yīng)專利的發(fā)展階段；此后，由于新的技術(shù)瓶頸和技術(shù)研發(fā)到成果、產(chǎn)業(yè)的廣泛轉(zhuǎn)換，該產(chǎn)業(yè)在2007年后開始進(jìn)入穩(wěn)定發(fā)展階段，專利件數(shù)開始停止增長，甚至有下滑的趨勢(shì)。

    以下各圖分別顯示自1991年以來全球LED照明專利以公開日和優(yōu)先權(quán)日的年度統(tǒng)計(jì)情況。取樣數(shù)據(jù)分別是：在日申請(qǐng)數(shù)量、在美申請(qǐng)數(shù)量、在美授權(quán)數(shù)量、世界專利申請(qǐng)數(shù)量以及除美日以外的其他國家和地區(qū)的專利數(shù)量總和。
 

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